[發明專利]一種半導體器件及其制作方法、電子裝置

在審

• 申請號: 201710464429.X
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN109148401A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 齊偉華;張傳寶
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：第一金屬盤、頂部通孔、第二金屬盤、焊盤、第一鈍化層和第二鈍化層，其中：

所述第一金屬盤形成在次頂部金屬層中位于焊盤下方的區域；

所述頂部通孔形成在所述第一金屬盤和第二金屬盤之間，并且填充有導電材料，以電連接所述第一金屬盤和第二金屬盤；

所述第二金屬盤位于所述頂部通孔之上，且形成在頂部金屬層中位于焊盤下方的區域；所述第一鈍化層覆蓋所述頂部金屬層，并且具有暴露所述焊盤的第一開口；

所述第二鈍化層形成在所述第一鈍化層之上，并且具有暴露所述焊盤的第二開口，

其中，所述頂部通孔包括第一頂部通孔和第二頂部通孔，所述第一頂部通孔位于所述第二開口的下方，所述第二頂部通孔位于所述第二開口外側對應的位置處，并且所述第一頂部通孔的尺寸大于所述第二頂部通孔的尺寸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一頂部通孔的尺寸比所述第二頂部通孔的尺寸大0～40％。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤包括位于所述第一開口中的主體部和位于所述第一鈍化層表面的延伸部。

4.根據權利要求1-3中的任意一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一金屬盤和第二金屬盤的面積大于所述焊盤的面積。

5.根據權利要求1-3中的任意一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一金屬盤與所述第二金屬盤之間通過介質層隔離，所述頂部通孔穿過所述介質層。

6.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成第一金屬盤，所述第一金屬盤形成在次頂部金屬層中位于擬形成的焊盤下方的區域；

形成頂部通孔，所述頂部通孔位于所述第一金屬盤之上，并且填充有導電材料；

形成第二金屬盤，所述第二金屬盤位于所述頂部通孔之上，且形成在頂部金屬層中位于擬形成的焊盤下方的區域，并通過所述頂部通孔與所述第一金屬盤電連接；

形成覆蓋所述頂部金屬層的第一鈍化層，所述第一鈍化層具有暴露所述第二金屬盤的一部分的第一開口；

在所述第一開口中的所述第二金屬盤之上形成焊盤；

在所述第一鈍化層之上形成第二鈍化層，所述第二鈍化層具有暴露所述焊盤的第二開口，

其中，所述頂部通孔包括第一頂部通孔和第二頂部通孔，所述第一頂部通孔位于所述第二開口的下方，所述第二頂部通孔位于所述第二開口外側對應的位置處，并且所述第一頂部通孔的尺寸大于所述第二頂部通孔的尺寸。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一頂部通孔的尺寸比所述第二頂部通孔的尺寸大0～40％。

8.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述焊盤包括位于所述第一開口中的主體部和位于所述第一鈍化層表面的延伸部。

9.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一金屬盤與所述第二金屬盤之間通過介質層隔離，所述頂部通孔穿過所述介質層。

10.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5中的任意一項所述的半導體器件以及與所述半導體器件相連接的電子組件。