[發明專利]一種用于Nand Flash的指針式邏輯地址映射表實現方法

有效

• 申請號: 201710464423.2
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107291625B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 趙鑫鑫;姜凱;李朋;尹超
• 申請（專利權）人: 濟南浪潮高新科技投資發展有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02;G06F12/06
• 代理公司: 濟南信達專利事務所有限公司 37100
• 代理人: 姜明

本發明特別涉及一種用于Nand Flash的指針式邏輯地址映射表實現方法。該用于Nand Flash的指針式邏輯地址映射表實現方法，通過使用地址指針，實現對單個邏輯地址的多級邏輯地址映射表，從而降低了Nand Flash芯片發生寫錯誤時垃圾回收導致的高昂時間成本，避免了復雜的垃圾回收算法和磨損均衡算法的實現，大大降低了Nand Flash控制器的實現難度，同時提高了存儲寫入速度。

技術領域

本發明涉及NandFlash控制器技術領域，特別涉及一種用于NandFlash的指針式邏輯地址映射表實現方法。

背景技術

隨著計算機技術的不斷發展，存儲設備的容量和速度都得到很大的提升。新型高速硬盤大多以NandFlash芯片為存儲介質，但是該存儲芯片的控制復雜，需要垃圾回收和磨損均衡等控制機制。

基于上述情況，本發明提出了一種用于NandFlash的指針式邏輯地址映射表實現方法。旨在通過使用地址指針，實現對單個邏輯地址的多級邏輯地址映射表，從而降低NandFlash芯片發生寫錯誤時垃圾回收導致的高昂時間成本。

發明內容

本發明為了彌補現有技術的缺陷，提供了一種簡單高效的用于NandFlash的指針式邏輯地址映射表實現方法。

本發明是通過如下技術方案實現的：

一種用于NandFlash的指針式邏輯地址映射表實現方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)建立一級邏輯地址映射表，所述一級邏輯地址映射表內每一條目的地址即為邏輯地址，條目內存儲的內容為一級物理地址；

(2)根據NandFlash芯片規格，為每一個plan(規劃)建立一個空閑塊物理地址子表；

(3)順序讀取NandFlash存儲芯片每個block(塊)的壞塊信息，將正常block的物理地址按順序存儲在一級邏輯地址映射表和對應的空閑塊物理地址子表中；

(4)按邏輯地址順序對NandFlash芯片進行讀寫操作或擦除操作；

(5)當n級邏輯地址映射表中的block發生寫入失敗后，選取對應plan的空閑塊創建n+1級邏輯地址映射表，根據該物理地址找到對應的空閑塊物理地址子表，并從中取出一個物理地址，將取出的物理地址添加到n+1級邏輯地址映射表中；將n級邏輯地址映射表中原地址條目的子地址指針填寫n+1級邏輯地址映射表中的對應條目地址，將原地址條目的起始page(頁面)填入0，結束page填入寫入失敗page前一頁，將n+1級邏輯地址映射表中新條目的起始page填入寫入失敗page；

(6)使用Copy Back指令將寫入失敗的數據寫入新邏輯地址，之后繼續進行下一個讀寫操作。

所述步驟(4)中，當進行讀操作時，從一級邏輯地址映射表開始讀，按照對應的起始結束page信息，切換二級邏輯地址映射表直至讀取該block完成，切換下一級邏輯地址映射表。

所述步驟(4)中，當進行擦除操作時，先將每個邏輯地址對應的最后一級邏輯地址映射表中的物理地址直接填入一級邏輯地址映射表，然后將其他級邏輯地址映射表全部擦除，最后將一級邏輯地址映射表中的block執行擦除操作。

當有某一個plan的空閑塊物理地址子表使用完后，對應的一級邏輯地址映射表將向系統發送NandFlash芯片損壞信號。

本發明的有益效果是：該用于Nand Flash的指針式邏輯地址映射表實現方法，通過使用地址指針，實現對單個邏輯地址的多級邏輯地址映射表，從而降低了NandFlash芯片發生寫錯誤時垃圾回收導致的高昂時間成本，避免了復雜的垃圾回收算法和磨損均衡算法的實現，大大降低了NandFlash控制器的實現難度，同時提高了存儲寫入速度。

具體實施方式