[發明專利]一種半導體行業凸塊制程用銅鈦腐蝕液

在審

• 申請號: 201710464069.3
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107217263A
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 戈燁銘
• 申請（專利權）人: 江陰潤瑪電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/26
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所(普通合伙)32210
• 代理人: 曾丹

1.一種半導體行業凸塊制程用銅鈦腐蝕液，包括如下質量百分比的成分

氫氧化鉀 5～10%，

雙氧水 5～10%，

絡合劑 1～5%，

表面活性劑 1～5%，

余量為純水。

2.根據權利要求1所述的一種半導體行業凸塊制程用銅鈦腐蝕液，其特征在于：所述氫氧化鉀的質量百分比濃度為99.0～99.9%，雙氧水的質量百分比濃度為25～35%、絡合劑的質量百分比濃度為90～98%。

3.根據權利要求1所述的一種半導體行業凸塊制程用銅鈦腐蝕液，其特征在于：所述絡合劑選自乙二胺四甲叉磷酸鈉、二乙烯三胺五甲叉膦酸鹽、胺三甲叉磷酸鹽、水解聚馬來酸酐、聚丙烯酸、聚羥基丙烯酸、馬來酸丙烯酸共聚物以及聚丙烯酰胺中的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的一種半導體行業凸塊制程用銅鈦腐蝕液，其特征在于：所述表面活性劑為聚氧乙烯型非離子表面活性劑。

5.根據權利要求1所述的一種半導體行業凸塊制程用銅鈦腐蝕液，其特征在于：表面活性劑為脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯中的一種或幾種。