[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201710463571.2
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107527892A
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 玉井雄大;百瀨文彥
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/607
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 胡曼

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

半導體芯片；

層疊基板，該層疊基板具有絕緣板、電路板及金屬板，所述電路板設于所述絕緣板的正面且配置有所述半導體芯片，所述金屬板設于所述絕緣板的背面；

散熱板，該散熱板以與所述金屬板接合的方式配置有所述層疊基板；

殼體，該殼體收納有所述半導體芯片和所述層疊基板；以及

連接端子，該連接端子的一端側的內部接合部與所述電路板接合，中間部埋設于所述殼體，另一端側的外部接合部從所述殼體伸出，在所述殼體的內側與所述內部接合部之間設有用于緩沖所述內部接合部的應力的緩沖部。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述緩沖部包括；

第一構件，該第一構件在相對于所述層疊基板的主表面垂直向上方向與所述內部接合部的端部連接；

第二構件，該第二構件在相對于所述層疊基板的主表面平行方向與所述第一構件的端部連接；

第三構件，該第三構件在相對于所述層疊基板的主表面垂直向下方向與所述第二構件的端部連接；以及

第四構件，該第四構件在相對于所述層疊基板的主表面平行方向與所述第三構件的端部連接，并且埋設于所述殼體，端部與所述外部接合部的端部連接。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述連接端子的厚度和寬度在整體上是相同的。

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述內部接合部與所述電路板超聲波接合。

5.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述內部接合部與所述電路板焊接接合。

6.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

將層疊基板以金屬板被接合的方式配置于散熱板的工序，所述層疊基板具有絕緣板、電路板及金屬板，所述電路板設于所述絕緣板的正面且配置有半導體芯片，所述金屬板設于所述絕緣板的背面；

將所述半導體芯片和所述層疊基板收納于殼體的工序；以及

利用接觸件的按壓部一邊進行超聲波振動一邊將連接端子的內部接合部垂直按壓于電路板的工序，其中，所述連接端子的一端側的內部接合部伸出至所述殼體的內側，中間部埋設于所述殼體，另一端側的外部接合部從所述殼體伸出，在所述殼體的內側與所述內部接合部之間設有緩沖部，該緩沖部具有第一構件、第二構件、第三構件及第四構件，所述第一構件在相對于所述層疊基板的主表面垂直向上方向與所述內部接合部的端部連接，所述第二構件在相對于所述層疊基板的主表面平行方向與所述第一構件的端部連接，所述第三構件在相對于所述層疊基板的主表面垂直向下方向與所述第二構件的端部連接，所述第四構件在相對于所述層疊基板的主表面平行方向與所述第三構件的端部連接，并且埋設于所述殼體，端部與所述外部接合部的端部連接，所述接觸件具有棒狀的主體部和按壓部，所述按壓部是所述主體部的前端部，且比所述主體部的直徑小。