[發明專利]用于半導體樣品工作流的方法和裝置有效
| 申請號: | 201710463493.6 | 申請日: | 2017-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN107527849B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發明(設計)人: | K·巴拉紹夫;T·米勒 | 申請(專利權)人: | FEI公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 李曉芳 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 半導體 樣品 工作流 方法 裝置 | ||
1.一種用于在存儲和傳輸從半導體晶片或數據存儲晶片取得的測試樣品中使用的晶片或盤復制品,包括:
主體,所述主體的尺寸被設計為至少對應于從其取得測試樣品的所述半導體晶片或數據存儲晶片的直徑;以及
多個凹部,所述多個凹部在所述主體的表面中形成并且被配置為接收從所述半導體晶片或數據存儲晶片取得的所述測試樣品中的一個或多個測試樣品。
2.如權利要求1所述的晶片或盤復制品,其中所述測試樣品是電子顯微鏡EM薄片。
3.如權利要求2所述的晶片或盤復制品,其中所述測試樣品是透射電子顯微鏡TEM和/或掃描/透射電子顯微鏡STEM薄片。
4.如權利要求1所述的晶片或盤復制品,其中所述主體由被配置為由前開口一體盒FOUP接收和傳輸的剛性材料形成。
5.如權利要求4所述的晶片或盤復制品,其中所述剛性材料是陶瓷、塑料、金屬或硅材料。
6.如權利要求1所述的晶片或盤復制品,其中所述多個凹部中的每個凹部被配置為直接接收測試樣品。
7.如權利要求1所述的晶片或盤復制品,其中所述多個凹部是被配置為接收EM網格的EM網格插座。
8.如權利要求1所述的晶片或盤復制品,其中所述多個凹部包括EM網格限位器。
9.如權利要求7所述的晶片或盤復制品,還包括被置于所述晶片復制品的表面上或所述晶片復制品的表面中的至少一個子載體,所述至少一個子載體被配置為攜帶多個EM網格,以使得所述子載體可以被直接裝載到電子顯微鏡EM的真空室中。
10.如權利要求9所述的晶片或盤復制品,其中所述子載體被配置為攜帶透射電子顯微鏡TEM網格。
11.如權利要求1所述的晶片或盤復制品,其中所述多個凹部被索引,以使得在其中接收的每個測試樣品是從其取得所述測試樣品的半導體晶片或數據存儲晶片能夠識別的。
12.如權利要求11所述的晶片或盤復制品,其中所述多個凹部使用條形碼或RFID標簽被索引。
13.一種用于在存儲和傳輸從數據存儲晶片或太陽能電池晶片取得的測試樣品中使用的晶片復制品,包括:
主體,所述主體的尺寸被設計為對應于待測試的數據存儲晶片或太陽能電池晶片的外直徑;以及
多個凹部,所述多個凹部在所述主體的表面中被形成并且被配置為接收一個或多個測試樣品。
14.如權利要求13所述的晶片復制品,其中所述多個凹部被索引,以使得在其中接收的每個測試樣品是從其取得所述測試樣品的數據存儲晶片或太陽能電池晶片能夠識別的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





