[發明專利]電阻式存儲器及其電阻式存儲單元的恢復電阻窗口方法

有效

• 申請號: 201710463294.5
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN109147844B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 王炳琨;廖紹憬;林銘哲;魏敏芝;周詮勝
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種電阻式存儲單元的恢復電阻窗口方法，其特征在于，所述恢復電阻窗口方法包括：

于第一期間施加過重置電壓差于電阻式存儲單元的上電極與下電極之間，其中所述過重置電壓差落于所述電阻式存儲單元的重置互補切換電壓范圍，以及所述過重置電壓差的絕對值大于重置電壓差的絕對值；

于第二期間施加設定電壓差于所述電阻式存儲單元的所述上電極與所述下電極之間，以增加所述電阻式存儲單元的限電流；以及

于第三期間施加所述重置電壓差于所述電阻式存儲單元的所述上電極與所述下電極之間，以對所述電阻式存儲單元進行第一重置操作。

2.根據權利要求1所述的恢復電阻窗口方法，其特征在于，所述恢復電阻窗口方法還包括：

對所述電阻式存儲單元進行第二重置操作，以測量所述電阻式存儲單元的至少一第一電流；以及

依照所述至少一第一電流與第一規格的關系而決定是否進行所述恢復電阻窗口方法。

3.根據權利要求1所述的恢復電阻窗口方法，其特征在于，所述恢復電阻窗口方法還包括：

在所述第一重置操作中測量所述電阻式存儲單元的至少一第二電流；以及

依照所述至少一第二電流與第二規格的關系而決定是否再一次進行所述恢復電阻窗口方法。

4.根據權利要求3所述的恢復電阻窗口方法，其特征在于，所述恢復電阻窗口方法還包括：

計數所述恢復電阻窗口方法的進行時間長度或進行次數；以及

依照所述進行時間長度或所述進行次數而決定是否停止所述恢復電阻窗口方法。

5.根據權利要求1所述的恢復電阻窗口方法，其特征在于，所述施加所述過重置電壓差的步驟包括：

提供參考電壓至所述電阻式存儲單元的位元線；

提供第一高電壓至所述電阻式存儲單元的字元線；以及

提供第二高電壓至所述電阻式存儲單元的源極線。

6.根據權利要求5所述的恢復電阻窗口方法，其特征在于，所述參考電壓包括接地電壓，所述第一高電壓為5-7V，以及所述第二高電壓為4-6V。

7.根據權利要求1所述的恢復電阻窗口方法，其特征在于，所述施加所述設定電壓差的步驟包括：

提供第一電壓至所述電阻式存儲單元的位元線；

提供第二電壓至所述電阻式存儲單元的字元線；以及

提供參考電壓至所述電阻式存儲單元的源極線。

8.根據權利要求7所述的恢復電阻窗口方法，其特征在于，所述參考電壓包括接地電壓，所述第一電壓為2-4V，以及所述第二電壓為3-5V，所述第二電壓大于在一般設定操作中的一般字元線電壓。

9.一種電阻式存儲器，其特征在于，所述電阻式存儲器包括：

電阻式存儲單元；

字元線信號提供電路，耦接至所述電阻式存儲單元的字元線；

位元線信號提供電路，耦接至所述電阻式存儲單元的位元線；以及

源極線信號提供電路，耦接至所述電阻式存儲單元的源極線，其中當進行恢復電阻窗口方法時，所述位元線信號提供電路與所述源極線信號提供電路于第一期間施加過重置電壓差于所述電阻式存儲單元的上電極與下電極之間，所述過重置電壓差落于所述電阻式存儲單元的重置互補切換電壓范圍，所述過重置電壓差的絕對值大于重置電壓差的絕對值，所述位元線信號提供電路與所述源極線信號提供電路于第二期間施加設定電壓差于所述電阻式存儲單元的所述上電極與所述下電極之間以增加所述電阻式存儲單元的限電流，所述字元線信號提供電路、所述位元線信號提供電路與所述源極線信號提供電路于第三期間施加所述重置電壓差于所述電阻式存儲單元的所述上電極與所述下電極之間以對所述電阻式存儲單元進行第一重置操作。