[發(fā)明專利]集成電路器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710462835.2
• 申請(qǐng)日: 2017-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN107527910B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭鏞國(guó);樸起寬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/092
• 分類號(hào): H01L27/092;H01L21/8238;H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種集成電路器件，包括：

基板，具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；

第一鰭型有源區(qū)，在所述第一區(qū)域中，所述第一鰭型有源區(qū)包括第一鰭部分，所述第一鰭部分具有第一凹陷，所述第一凹陷填充有第一源極/漏極區(qū)；

第一器件隔離層，覆蓋所述第一鰭型有源區(qū)的兩個(gè)下部側(cè)壁；

第二鰭型有源區(qū)，在所述第二區(qū)域中，所述第二鰭型有源區(qū)包括第二鰭部分，所述第二鰭部分具有第二凹陷，所述第二凹陷填充有第二源極/漏極區(qū)；

第二器件隔離層，覆蓋所述第二鰭型有源區(qū)的兩個(gè)下部側(cè)壁；以及

鰭絕緣間隔物，覆蓋所述第一鰭型有源區(qū)的第一側(cè)壁和所述第二鰭型有源區(qū)的第二側(cè)壁中的至少一個(gè)，所述第一鰭型有源區(qū)的所述第一側(cè)壁在所述第一器件隔離層和所述第一凹陷之間，并且所述第二鰭型有源區(qū)的所述第二側(cè)壁在所述第二器件隔離層和所述第二凹陷之間。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述鰭絕緣間隔物僅在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域當(dāng)中的所述第一區(qū)域中，并覆蓋所述第一鰭型有源區(qū)的在所述第一器件隔離層和所述第一源極/漏極區(qū)之間的兩個(gè)側(cè)壁。

3.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，還包括：

柵極間電介質(zhì)，覆蓋所述第一源極/漏極區(qū)和所述第二源極/漏極區(qū)，

其中所述第一側(cè)壁與所述柵極間電介質(zhì)間隔開，使所述鰭絕緣間隔物在所述第一側(cè)壁和所述柵極間電介質(zhì)之間，并且

所述第二側(cè)壁與所述柵極間電介質(zhì)間隔開，使所述第二源極/漏極區(qū)的一部分在所述第二側(cè)壁和所述柵極間電介質(zhì)之間。

4.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述鰭絕緣間隔物包括：

第一鰭絕緣間隔物，覆蓋所述第一器件隔離層和所述第一源極/漏極區(qū)之間的所述第一側(cè)壁；和

第二鰭絕緣間隔物，覆蓋所述第二器件隔離層和所述第二源極/漏極區(qū)之間的所述第二側(cè)壁，

其中所述第一鰭絕緣間隔物的高度大于所述第二鰭絕緣間隔物的高度。

5.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第一凹陷的深度小于所述第二凹陷的深度。

6.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第一鰭型有源區(qū)的在所述第一凹陷下面從所述第一器件隔離層向上突出且在所述第一器件隔離層之外的部分的垂直長(zhǎng)度大于所述第二鰭型有源區(qū)的在所述第二凹陷下面從所述第二器件隔離層向上突出且在所述第二器件隔離層之外的部分的垂直長(zhǎng)度。

7.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第一源極/漏極區(qū)的尺寸小于所述第二源極/漏極區(qū)的尺寸。

8.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第一區(qū)域是SRAM區(qū)域，所述第二區(qū)域是邏輯區(qū)域。

9.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第一區(qū)域是NMOS晶體管區(qū)域，所述第二區(qū)域是PMOS晶體管區(qū)域。

10.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，還包括：

第一柵線，在所述第一器件隔離層上以及在所述第一鰭型有源區(qū)上，所述第一柵線在與所述第一鰭型有源區(qū)交叉的方向上延伸；

第一柵極絕緣間隔物，在所述第一器件隔離層上以及在所述第一鰭型有源區(qū)上，所述第一柵極絕緣間隔物覆蓋所述第一柵線的兩個(gè)側(cè)壁；

第二柵線，在所述第二器件隔離層上以及在所述第二鰭型有源區(qū)上，所述第二柵線在與所述第二鰭型有源區(qū)交叉的方向上延伸；以及

第二柵極絕緣間隔物，在所述第二器件隔離層上以及在所述第二鰭型有源區(qū)上，所述第二柵極絕緣間隔物覆蓋所述第二柵線的兩個(gè)側(cè)壁，

其中所述鰭絕緣間隔物、所述第一柵極絕緣間隔物和所述第二柵極絕緣間隔物包括相同的材料。

11.如權(quán)利要求10所述的集成電路器件，其中所述鰭絕緣間隔物僅在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域當(dāng)中的所述第一區(qū)域中，并一體地連接到所述第一柵極絕緣間隔物。