[發明專利]一種基于FinFET器件的單位線非對稱存儲單元

有效

• 申請號: 201710462400.8
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107393581B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 胡建平;楊會山
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: G11C7/18
• 分類號: G11C7/18;G11C11/418
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 方小惠

1.一種基于FinFET器件的單位線非對稱存儲單元，其特征在于包括位線、寫字線、讀字線、第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管和第九FinFET管；所述的第一FinFET管和所述的第七FinFET管分別為低閾值的P型FinFET管，所述的第二FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第八FinFET管和所述的第九FinFET管均為低閾值的N型FinFET管，所述的第三FinFET管為高閾值的P型FinFET管；

所述的第一FinFET管的源極、所述的第一FinFET管的背柵、所述的第三FinFET管的源極、所述的第七FinFET管的源極和所述的第七FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的單位線非對稱存儲單元的電源端，所述的單位線非對稱存儲單元的電源端用于接入外部電源，所述的第一FinFET管的前柵、所述的第二FinFET管的前柵、所述的第三FinFET管的漏極、所述的第四FinFET管的漏極和所述的第五FinFET管的漏極連接且其連接端為所述的單位線非對稱存儲單元的反相輸出端，所述的第一FinFET管的漏極、所述的第二FinFET管的漏極、所述的第三FinFET管的前柵、所述的第四FinFET管的前柵、所述的第四FinFET管的背柵、所述的第七FinFET管的前柵和所述的第八FinFET管的前柵連接且其連接端為所述的單位線非對稱存儲單元的輸出端，所述的第二FinFET管的源極、所述的第二FinFET管的背柵、所述的第六FinFET管的源極、所述的第六FinFET管的背柵、所述的第八FinFET管的源極和所述的第八FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的單位線非對稱存儲單元的接地端，所述的單位線非對稱存儲單元的接地端用于接入大地，所述的第三FinFET管的背柵和所述的第六FinFET管的漏極連接，所述的第四FinFET管的源極為所述的單位線非對稱存儲單元的虛擬地端，所述的單位線非對稱存儲單元的虛擬地端用于接入虛擬地，所述的第五FinFET管的前柵、所述的第五FinFET管的背柵和所述的寫字線連接，所述的第五FinFET管的源極、所述的第六FinFET管的前柵、所述的第九FinFET管的源極和所述的位線連接，所述的第七FinFET管的漏極、所述的第八FinFET管的漏極和所述的第九FinFET管的漏極連接，所述的第九FinFET管的前柵、所述的第九FinFET管的背柵和所述的讀字線連接。

2.根據權利要求1所述的一種基于FinFET器件的單位線非對稱存儲單元，其特征在于所述的第一FinFET管鰭的數量為1，所述的第二FinFET管鰭的數量為1，所述的第三FinFET管鰭的數量為1，所述的第四FinFET管鰭的數量為1，所述的第五FinFET管鰭的數量為1，所述的第六FinFET管鰭的數量為1，所述的第七FinFET管鰭的數量為1，所述的第八FinFET管鰭的數量為1，所述的第九FinFET管鰭的數量為1。

3.根據權利要求1或2所述的一種基于FinFET器件的單位線非對稱存儲單元，其特征在于所述的第一FinFET管的閾值電壓為0.3v，所述的第二FinFET管的閾值電壓為0.3v，所述的第三FinFET管的閾值電壓為0.6v，所述的第四FinFET管的閾值電壓為0.3v，所述的第五FinFET管的閾值電壓為0.3v，所述的第六FinFET管的閾值電壓為0.3v，所述的第七FinFET管的閾值電壓為0.3v，所述的第八FinFET管的閾值電壓為0.3v，所述的第九FinFET管的閾值電壓為0.3v。