[發明專利]4英寸圖形化襯底的制作方法

在審

• 申請號: 201710462371.5
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107240625A
• 公開（公告）日: 2017-10-10
• 發明（設計）人: 馮磊
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)11603
• 代理人: 于淼

1.一種4英寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，依次包括：

提供一4英寸襯底，所述襯底包括相對設置的第一表面和第二表面；

在所述襯底的第一表面上均勻涂覆一層正性光刻膠；

以所述正性光刻膠作為掩膜，采用光刻方法，在所述襯底的第一表面上形成圖形化掩膜，所述圖形化掩膜包括若干個不連續的光刻膠柱，相鄰兩個所述光刻膠柱之間的間距為3.1um≤D1≤3.6um，所述間距為相鄰兩個所述光刻膠柱中第一光刻膠柱遠離第二光刻膠柱一側的邊緣與第二光刻膠柱靠近第一光刻膠柱一側的邊緣之間的距離；

利用CORIAL干法刻蝕機臺對所述圖形化掩膜進行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部。

2.根據權利要求1所述4英寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，相鄰兩個光刻膠柱之間的間距為D1＝3.2um。

3.根據權利要求1所述4英寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，所述光刻膠柱呈圓柱狀，所述光刻膠柱的直徑為D2，2.0um≤D2≤2.2um，所述光刻膠柱的高度為H1，2.4um≤H1≤2.6um。

4.根據權利要求3所述4英寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，

所述光刻膠柱的直徑D2＝2.1um，所述光刻膠柱的高度H1＝2.5um。

5.根據權利要求1所述4英寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，所述突起部在所述襯底所在平面的正投影的直徑為D3，2.9um≤D3≤3.1um，所述突起部在沿垂直于所述襯底所在平面的方向的高度為H2，1.7um≤H2≤1.9um，相鄰兩個突起部之間的間距為D4，0.1um≤D4≤0.3um，其中，相鄰兩個突起部之間的間距為相鄰兩個突起部中，第一突起部靠近第二突起部一側的邊緣與第二突起部靠近所述第一突起部的邊緣之間的距離。

6.根據權利要求5所述4英寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，D3＝3.0um，H2＝1.8um，D4＝0.2um。

7.根據權利要求1所述4英寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，利用CORIAL干法刻蝕機臺對所述圖形化掩膜進行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，進一步為：

采用H₂和BCL₃作為刻蝕氣體，利用CORIAL干法刻蝕機臺對所述圖形化掩膜進行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，其中，H₂的氣體流量為10sccm至25sccm，BCL₃的氣體流量為65sccm至95sccm。

8.根據權利要求7所述4英寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，采用H₂和BCL₃作為刻蝕氣體，利用CORIAL干法刻蝕機臺對所述圖形化掩膜進行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，其中，H₂的氣體流量為10sccm至25sccm，BCL₃的氣體流量為65sccm至95sccm，進一步為：

采用BCL₃作為主刻蝕氣體，采用H₂作為輔刻蝕氣體，利用CORIAL干法刻蝕機臺對所述圖形化掩膜進行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，其中，H₂的氣體流量為15sccm，BCL₃的氣體流量為75sccm。

9.根據權利要求1所述4英寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，利用CORIAL干法刻蝕機臺對所述圖形化掩膜進行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，進一步為：

保持反應腔體的工作壓力為1mT至3mT，保持反應腔體載臺的溫度為30℃至40℃，利用CORIAL干法刻蝕機臺對所述圖形化掩膜進行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部。

10.根據權利要求1所述4英寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，利用CORIAL干法刻蝕機臺對所述圖形化掩膜進行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，進一步為：

保持上電極射頻功率為800W至1200W，下電極射頻功率為200W至800W，利用CORIAL干法刻蝕機臺對所述圖形化掩膜進行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部。