[發明專利]用于圖像識別的處理器

在審

• 申請號: 201710461244.3
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN109146763A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 張國飆
• 申請（專利權）人: 成都海存艾匹科技有限公司
• 主分類號: G06T1/20
• 分類號: G06T1/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于圖像識別的處理器(200)，其特征在于含有：

一傳輸至少一用戶圖像數據的輸入總線(110)；

一半導體襯底(0)及多個存儲處理單元(100aa-100mn)，所述多個存儲處理單元與該輸入總線(110)耦合，每個存儲處理單元(100ij)含有至少一三維存儲 (3D-M)陣列(170)和一模式處理電路(180)，其中：

所述3D-M陣列(170)堆疊在該襯底(0)上方，該3D-M陣列(170)存儲至少一圖像模型；

所述模式處理電路(180)位于該襯底(0)中，該模式處理電路(180)根據該圖像模型對該用戶圖像數據進行模式識別；

所述3D-M陣列(170)和所述模式處理電路(180)通過多個接觸通道孔(1av, 3av)耦合。

2.根據權利要求1所述的處理器(200)，其特征還在于：所述3D-M為三維可寫存儲元（3D-W）。

3.根據權利要求1所述的處理器(200)，其特征還在于：所述3D-M陣列是一三維一次編程存儲器（3D-OTP）陣列。

4.根據權利要求1所述的處理器(200)，其特征還在于：所述3D-M陣列是一三維多次編程存儲器（3D-MTP）陣列。

5.根據權利要求1所述的處理器(200)，其特征還在于：所述3D-M陣列是3D-XPoint、memristor、阻變存儲器（RRAM）、相變存儲器（PCM）、programmable metallization cell（PMC）、或conductive bridging random-access memory （CBRAM）。

6.根據權利要求1所述的處理器(200)，其特征還在于：該3D-M陣列(170)覆蓋至少部分所述模式處理電路(180)。

7.根據權利要求1所述的處理器(200)，其特征還在于：所述模式處理電路(180)被至少兩個3D-M陣列(170A, 170B)覆蓋。

8.根據權利要求1所述的處理器(200)，其特征還在于：所述模式處理電路(180)被至少四個3D-M陣列(170A-170D)覆蓋。

9.根據權利要求1所述的處理器(200)，其特征還在于：所述模式處理電路(180)被至少八個3D-M陣列(170A-170D、170W-170Z)覆蓋。

10.根據權利要求1所述的處理器(200)，其特征還在于：所述多個接觸通道孔(1av,3av)構成一大帶寬電連接。