[發(fā)明專利]調(diào)節(jié)多等離子體處理站的阻抗或功率的組合器和分配器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710459227.6 | 申請日: | 2017-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN107523810B | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蘇尼爾·卡普爾;喬治·托馬斯;亞思萬斯·蘭吉內(nèi)尼;愛德華·奧古斯蒂尼克 | 申請(專利權(quán))人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/513;H01J37/32 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人: | 李獻(xiàn)忠;張華 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 調(diào)節(jié) 等離子體 處理 阻抗 功率 組合 分配器 | ||
1.一種用于調(diào)節(jié)在多個等離子體處理站之間的阻抗的系統(tǒng),其包括:
第一射頻發(fā)生器,其被配置為生成具有第一頻率的第一射頻信號;
第二射頻發(fā)生器,其被配置為產(chǎn)生具有第二頻率的第二射頻信號;
第一匹配網(wǎng)絡(luò),其耦合到所述第一射頻發(fā)生器以接收所述第一射頻信號,其中所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)被配置為在接收到所述第一射頻信號時輸出第一經(jīng)修改的射頻信號;
第二匹配網(wǎng)絡(luò),其耦合到所述第二射頻發(fā)生器以接收所述第二射頻信號,其中所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)被配置為在接收到所述第二射頻信號時輸出第二經(jīng)修改的射頻信號;和
組合器和分配器,其耦合到所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出和所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出,其中所述組合器和分配器被配置為組合所述第一經(jīng)修改的射頻信號和所述第二經(jīng)修改的射頻信號以將組合的射頻信號提供給多個等離子體處理站,其中所述組合器和分配器具有耦合到所述多個等離子體處理站的多個輸出,其中所述組合器和分配器包括針對所述第一頻率和所述第二頻率的多個調(diào)諧電路,以基于在所述組合器和分配器的輸出處測得的參數(shù)調(diào)諧與所述多個等離子體處理站相關(guān)聯(lián)的阻抗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其還包括被配置為基于所述參數(shù)來調(diào)節(jié)所述多個調(diào)諧電路中的一個或多個調(diào)諧電路的變量的系統(tǒng)控制器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其還包括系統(tǒng)控制器,所述系統(tǒng)控制器被配置為調(diào)節(jié)所述多個調(diào)諧電路中的一個或多個調(diào)諧電路的變量,使得所述阻抗中的與所述多個等離子體處理站中的一個相關(guān)聯(lián)的一個阻抗和所述阻抗中的與所述多個等離子體處理站中的另一個相關(guān)聯(lián)的另一個阻抗相差是在預(yù)定的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),
其中所述多個調(diào)諧電路中的一個包括被調(diào)諧以改變提供給所述多個等離子體處理站中的一個等離子體處理站的所述第一頻率的功率電平的電容器,而所述多個調(diào)諧電路中的另一個是被調(diào)諧以改變提供給所述多個等離子體處理站中的所述一個等離子體處理站的所述第二頻率的功率電平的電容器,
其中所述第一頻率的所述功率電平和所述第二頻率的所述功率電平基于所述阻抗中的與所述多個等離子體處理站中的另一個等離子體處理站相關(guān)聯(lián)的一個阻抗而改變。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述組合器和分配器包括:
阻隔電路,其被配置為對所述第二頻率進(jìn)行濾波,使得所述第二頻率不影響所述第一射頻發(fā)生器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述組合器和分配器包括:
對應(yīng)于所述多個等離子體處理站的多個假負(fù)載;
多個開關(guān),其中所述多個開關(guān)中的每一個被配置為耦合到所述假負(fù)載中的對應(yīng)一個或所述組合器和分配器的所述輸出中的對應(yīng)一個,其中當(dāng)多個開關(guān)中的一個耦合到所述多個假負(fù)載中的一個時,在所述多個等離子體處理站中的與所述輸出中的一個耦合的一個等離子體處理站中禁用等離子體,其中當(dāng)多個開關(guān)中的所述一個耦合到所述組合器和分配器的所述輸出中的所述一個時,在所述多個等離子體處理站中的與所述輸出中的所述一個耦合的一個等離子體處理站中啟用等離子體;
系統(tǒng)控制器,其耦合到所述多個開關(guān),以在所述多個開關(guān)耦合到所述組合器和分配器的輸出和所述多個開關(guān)耦合到所述多個假負(fù)載之間修改所述多個開關(guān)的多個位置;和
多個直流阻隔電容器,其中所述多個直流阻隔電容器中的每一個耦合到所述多個假負(fù)載中的對應(yīng)的一個,以阻隔直流功率施加到所述多個假負(fù)載中的所述對應(yīng)的一個。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其還包括:
多個參數(shù)探針,其耦合到所述組合器和分配器的輸出,以測量所述參數(shù)的在所述組合器和分配器的所述輸出處的多個值;
耦合到所述參數(shù)探針的系統(tǒng)控制器,其用于從所述多個參數(shù)探針接收所述參數(shù)的所述多個值,
其中所述系統(tǒng)控制器耦合到所述多個調(diào)諧電路,以基于從所述多個參數(shù)探針接收的所述參數(shù)的所述多個值來調(diào)諧所述多個調(diào)諧電路。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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