[發明專利]含鈷襯底的化學機械拋光(CMP)

有效

• 申請號: 201710459103.8
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN107523219B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 史曉波;J·羅斯;T·J·克洛爾;J·A·施呂特;M·格雷夫;M·L·奧尼爾
• 申請（專利權）人: 弗薩姆材料美國有限責任公司
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02;H01L21/306
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華;徐志明

1.一種用于含鈷襯底的化學機械拋光(CMP)拋光組合物，所述組合物包含：

0.005wt.％-25wt.％的磨料；

0.05wt.％-5wt.％的α-丙氨酸；

2ppm-50ppm的包含H₂PO₄^1-、HPO₄^2-或PO₄^3-的磷酸鹽或酯化合物；

0.0005wt.％-0.25wt.％的腐蝕抑制劑；

0.005wt.％-10wt.％的氧化劑；和

水；

其中所述化學機械拋光(CMP)拋光組合物的pH為2.0-12。

2.如權利要求1所述的用于含鈷襯底的化學機械拋光(CMP)拋光組合物，所述組合物進一步包含以下中的至少一種：

0.0001wt.％-0.20wt.％的胺化合物；

0.01wt.％-10wt.％的螯合劑；

0.01wt.％-0.5wt.％的pH調節劑；

0.00001wt.％-0.10wt.％的殺生物劑；和/或

0.0005wt.％-0.15wt.％的表面活性劑。

3.如權利要求1或2所述的用于含鈷襯底的化學機械拋光(CMP)拋光組合物，其中所述磨料選自納米尺寸的膠體二氧化硅或高純度膠體二氧化硅顆粒；納米尺寸的無機金屬氧化物顆粒，其選自氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、二氧化鈰及其組合；納米尺寸的金剛石顆粒；納米尺寸的氮化硅顆粒；單模態、雙模態或多模態的膠體磨料顆粒；基于有機聚合物的軟磨料；表面涂覆或改性的磨料；和其組合；和/或所述磨料的量為0.05wt.％-5wt.％；

所述丙氨酸選自D-丙氨酸、L-丙氨酸、DL-丙氨酸及其組合，和/或所述丙氨酸的量為0.5wt.％-2wt.％；

所述包含H₂PO₄^1-、HPO₄^2-或PO₄^3-的磷酸鹽或酯化合物是選自磷酸根離子、磷酸氫根離子、磷酸二氫根、磷酸及其組合的形式；和/或所述磷酸鹽或酯化合物的量是2ppm-50ppm；

所述腐蝕抑制劑選自1,2,4-三唑及其衍生物、苯并三唑及其衍生物、1,2,3-三唑及其衍生物、吡唑及其衍生物、咪唑及其衍生物、苯并咪唑及其衍生物、苯并咪唑及其衍生物、異氰脲酸酯及其衍生物、和其組合；和/或所述腐蝕抑制劑的量為0.0025wt.％-0.25wt.％；

所述氧化劑選自高碘酸、過氧化氫、碘酸鉀、高錳酸鉀、過硫酸銨、鉬酸銨、硝酸鐵、硝酸、硝酸鉀及其混合物；和/或所述氧化劑的量為0.25wt.％-3wt.％；和/或

所述化學機械拋光(CMP)拋光組合物的pH為6.0-10。