[發(fā)明專利]紅外焦平面多色探測器及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710458420.8
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN107240614B
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發(fā)明（設計）人: 黃寓洋
• 申請（專利權）人: 蘇州蘇納光電有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/105;H01L31/18
• 代理公司: 南京利豐知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種紅外焦平面多色探測器，其特征在于，包括襯底、以及形成于襯底上的外延層，所述襯底上開設有至少一個窗口，所述外延層暴露于所述窗口。

2.根據(jù)權利要求1所述的紅外焦平面多色探測器，其特征在于：所述襯底上開設有多個窗口，該多個窗口均勻分布于所述襯底上。

3.根據(jù)權利要求1所述的紅外焦平面多色探測器，其特征在于：該紅外焦平面多色探測器為平面型PIN銦鎵砷探測器。

4.根據(jù)權利要求3所述的紅外焦平面多色探測器，其特征在于：所述襯底為半絕緣InP襯底。

5.根據(jù)權利要求4所述的紅外焦平面多色探測器，其特征在于：所述紅外焦平面多色探測器中，襯底部分探測0.9～1.7微米的紅外光，所述窗口部分探測0.4～1.7微米的紅外光。

6.根據(jù)權利要求3所述的紅外焦平面多色探測器，其特征在于：所述外延層包括光敏元芯片，該光敏元芯片為銦鎵砷芯片。

7.根據(jù)權利要求6所述的紅外焦平面多色探測器，其特征在于：所述外延層還包括硅讀出電路，該硅讀出電路與光敏元芯片互連。

8.權利要求1至7任一所述的紅外焦平面多色探測器的制作方法，其特征在于，包括：

(1)、提供一紅外焦平面探測器；

(2)、將掩膜版與紅外焦平面探測器的襯底進行對準，然后曝光；

(3)、刻蝕襯底，在襯底上形成窗口。

9.權利要求1至7任一所述的紅外焦平面多色探測器的探測方法，其特征在于：硅讀出電路分別讀取襯底未去除部位的紅外光波長λ₁、窗口部位的紅外光波長λ₂，并求取λ₁和λ₂的差值。