[發(fā)明專利]提高套刻精度的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710458343.6
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN107037696B
• 公開（公告）日: 2019-11-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭曉波;毛智彪
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 31237 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 智云<國際申請>=<國際公布>=<進入國

1.一種提高套刻精度的方法，其特征在于，包括：

提供復合掩膜版，所述復合掩膜版包括鏡像對稱的第一光刻圖形和第二光刻圖形；

以所述第一光刻圖形為掩膜進行第一次光刻工藝；

以翻轉(zhuǎn)的所述第二光刻圖形為掩膜進行第二次光刻工藝，第一次光刻工藝與第二次光刻工藝形成的圖形同向。

2.如權(quán)利要求1所述的提高套刻精度的方法，其特征在于，所述第一光刻圖形與所述第二光刻圖形在水平方向或豎直方向上成鏡像對稱。

3.如權(quán)利要求1所述的提高套刻精度的方法，其特征在于，以所述第一光刻圖形為掩膜進行第一次光刻工藝的步驟包括：以所述第一光刻圖形為掩膜進行曝光、顯影，形成具有第三光刻圖形的襯底；以所述第三光刻圖形為掩膜刻蝕所述襯底，形成具有第三光刻圖形的刻蝕層。

4.如權(quán)利要求3所述的提高套刻精度的方法，其特征在于，還包括：曝光過程中，對所述復合掩膜版的熱膨脹進行補償修正，以減小圖形畸變。

5.如權(quán)利要求3所述的提高套刻精度的方法，其特征在于，進行第一次光刻工藝之后還包括：離子注入、薄膜生長工藝。

6.如權(quán)利要求3所述的提高套刻精度的方法，其特征在于，以翻轉(zhuǎn)的所述第二光刻圖形為掩膜進行第二次光刻工藝的步驟包括：以翻轉(zhuǎn)的所述第二光刻圖形為掩膜進行曝光、顯影，形成具有第四光刻圖形的襯底，所述襯底上的第四光刻圖形與第三光刻圖形同向。

7.如權(quán)利要求6所述的提高套刻精度的方法，其特征在于，還包括：曝光過程中，以具有第一光刻圖形的刻蝕層為對準和套刻目標。

8.如權(quán)利要求6所述的提高套刻精度的方法，其特征在于，還包括：曝光過程中，對所述復合掩膜版的熱膨脹進行補償修正，以減小圖形畸變。

9.如權(quán)利要求6所述的提高套刻精度的方法，其特征在于，翻轉(zhuǎn)的所述第二光刻圖形的步驟包括：旋轉(zhuǎn)和/或翻轉(zhuǎn)所述復合掩膜版；或改變光刻機成像系統(tǒng)；或通過兩者相結(jié)合的方式來實現(xiàn)。

10.如權(quán)利要求9所述的提高套刻精度的方法，其特征在于，在光刻機成像系統(tǒng)中增加至少一塊鏡頭或鏡片。