[發明專利]主控芯片的加熱裝置及方法

在審

• 申請號: 201710458235.9
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN107272771A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 陳進獎;張鑫;方旭逢
• 申請（專利權）人: 深圳市共進電子股份有限公司
• 主分類號: G05D23/24
• 分類號: G05D23/24
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 吳平

技術領域

本發明涉及電子電路技術領域，特別是涉及一種主控芯片的加熱裝置及方法。

背景技術

目前大部分的攝像機產品都會要求能夠工作在-20度或者更低的溫度條件下，但是一般的主控類芯片無法滿足更低的工作溫度要求，如果選用軍工級的產品，那么成本將會很高。

基于目前低溫工作環境的選擇主要受限于芯片的最低工作溫度。在應用情況下往往需要更換更低工作溫度的芯片，對產品成本控制帶來了很大的挑戰。其次，傳統的產品加熱設計采用腔體加熱的方式，來達到芯片工作溫度的要求，但是腔體加熱使用的是大功率加熱絲，長時間的加熱會導致功耗的浪費，同時加熱腔體溫度會引起系統啟動比較緩慢。

因此，如何在對主控芯片的加熱過程中降低成本，并使系統在低溫條件下能夠快速啟動成為亟待解決的技術問題。

發明內容

基于此，有必要針對傳統主控芯片加熱方式成本過高，以及導致系統啟動較緩慢的問題，提供一種能夠有效降低成本，并使主控芯片滿足低溫快速啟動要求的主控芯片的加熱裝置及方法。

一種主控芯片的加熱裝置，包括：

主控控制模塊，通過接收主控芯片發出的第一控制信號控制后端電路開啟加熱模式或關閉加熱模式；

溫度檢測模塊，與所述主控控制模塊連接，用于檢測所述主控芯片的溫度，并根據檢測的所述溫度反饋電壓值至所述主控控制模塊；

比較模塊，與所述主控控制模塊連接，將所述溫度檢測模塊反饋的電壓值與預設電壓值進行比較，根據比較的結果輸出第二控制信號控制開啟加熱或關閉加熱；

加熱模塊，與所述比較模塊連接，用于給主控芯片加熱。

在其中一個實施例中，所述主控控制模塊包括信號輸入端、第一電阻和通斷單元，所述信號輸入端、第一電阻、通斷單元依次連接，所述信號輸入端用于輸入所述第一控制信號，所述第一電阻用于給電路提供阻抗，所述通斷單元根據所述第一控制信號進行導通或斷開。

在其中一個實施例中，所述通斷單元包括第一三極管和第二三極管，所述第一三極管和第二三極管連接，通過第一控制信號控制第一三極管的通斷，所述第一三極管的通斷決定第二三極管的通斷。

在其中一個實施例中，所述溫度檢測模塊包括熱敏電阻和分壓電阻，所述熱敏電阻和分壓電阻連接，所述分壓電阻與主控控制模塊連接，所述熱敏電阻隨溫度變化產生阻值變化，通過所述阻值變化使分壓電阻的電壓發生變化，將所述分壓電阻的電壓值反饋至所述主控控制模塊。

在其中一個實施例中，所述比較模塊包括比較器和MOS管，所述比較器與MOS管連接，所述比較器將溫度檢測模塊反饋的電壓值與預設電壓值進行比較，根據比較結果輸出第二控制信號至所述MOS管，所述MOS管根據第二控制信號進行導通或斷開。

在其中一個實施例中，所述加熱模塊包括至少兩個加熱電阻，所述至少兩個加熱電阻并聯，用于給主控芯片加熱。

在其中一個實施例中，所述第一控制信號為高低電平信號，當所述第一控制信號為低電平時，開啟加熱模式，當所述第一控制信號為高電平時，關閉加熱模式。

在其中一個實施例中，所述第二控制信號為高低電平信號，當所述第二控制信號為高電平時，關閉加熱，當所述第二控制信號為低電平時，開啟加熱。

一種主控芯片的加熱方法，包括：

發出第一控制信號控制后端電路開啟加熱模式；

檢測主控芯片的溫度，根據檢測的所述溫度反饋電壓值；

將反饋的所述電壓值與預設電壓值進行比較，根據比較的結果輸出第二控制信號控制開啟加熱或關閉加熱。

在其中一個實施例中，所述第二控制信號為高低電平信號，當所述第二控制信號為高電平時，關閉加熱，當所述第二控制信號為低電平時，開啟加熱。

上述主控芯片的加熱裝置及加熱方法，通過主控控制模塊發出第一控制信號控制后端電路開啟加熱模式或關閉加熱模式，溫度檢測模塊檢測主控芯片的溫度，并根據檢測的所述溫度反饋電壓值至主控控制模塊，比較模塊將溫度檢測模塊反饋的電壓值與預設電壓值進行比較，根據比較的結果輸出第二控制信號控制開啟加熱或關閉加熱，加熱模塊給主控芯片加熱，使主控芯片在低溫條件下能夠快速達到工作所需的溫度，且主控芯片加熱的溫度可控，并能有效降低主控芯片加熱過程中的成本。

附圖說明

圖1為一個實施例中主控芯片的加熱裝置的結構示意圖；

圖2為圖1中主控控制模塊和溫度檢測模塊的電路示意圖；

圖3為圖1中對比模塊和加熱模塊的電路示意圖；