[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710458201.X | 申請日： | 2017-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN107526220B | 公開（公告）日： | 2022-10-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 具本龍;蔡鐘哲;李柔辰;許龍九 | 申請（專利權）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1343 | 分類號： | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置，包括：
包括多個像素區(qū)域并彼此對立的第一基板和第二基板；
在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層；
在所述第一基板上的第一像素電極和第二像素電極，
其中所述第一像素電極包括與形成所述第二像素電極的材料不同的材料；以及
在所述第二基板上的公共電極，所述公共電極是跨越所述多個像素區(qū)域延伸的整個平面電極，
其中，所述第一像素電極和所述第二像素電極彼此間隔開并且在平面圖中不重疊；以及
在第一方向上延伸的柵線以及在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線，其中在所述第一方向上，所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的距離小于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一像素電極和所述第二像素電極設置在相同的層上。
3.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一像素電極具有與所述第二像素電極的蝕刻率不同的蝕刻率。
4.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一像素電極包括從由晶態(tài)銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)、鋁鋅氧化物(AZO)和非晶銦錫氧化物(a-ITO)構成的組中選出的至少一種。
5.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一像素電極的至少一部分和所述第二像素電極的至少一部分重疊所述數(shù)據(jù)線。
6.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的所述距離在0.3μm到1.0μm的范圍內(nèi)。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術或工藝；變頻；非線性光學；光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導結構中的
