[發明專利]電阻式隨機存取存儲器及其制造方法在審
| 申請號： | 201710457075.6 | 申請日： | 2017-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN109148681A | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發明（設計）人： | 曾柏皓;李峰旻;林昱佑;許凱捷 | 申請（專利權）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介電層 基板 導電連接結構 停止層 絕緣層 電阻式隨機存取存儲器 隨機存取內存 柵極氧化物 電阻式 配置 絕緣層配置 頂表面 控制層 穿過 覆蓋 制造 | ||
1.一種電阻式隨機存取存儲器，包括：
一第一介電層，配置于一基板上且覆蓋位于該基板上的一柵極氧化物結構，且該第一介電層包括：
一第一絕緣層，配置于該基板上；以及
一停止層，配置于該第一絕緣層上且接觸該柵極氧化物結構的一頂表面，其中該停止層是一氫控制層；
一第一導電連接結構配置于該基板上且穿過該第一介電層；以及
一電阻式隨機存取內存單元，配置于該第一導電連接結構上。
2.根據權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該停止層是氫的比例小于7％的一少氫層。
3.根據權利要求3所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該少氫層的厚度是在至的范圍中。
4.根據權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該停止層是厚度小于的一減薄層。
5.根據權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該停止層是氫的比例小于7％且厚度小于的一減氫層。
6.根據權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該停止層包括選自于由多晶硅、非晶硅、氮氧化硅(SiON)、硬氧化硅(robust SiO2)、氮化硅(SiN)、及一高介電材料所組成的群組的一材料。
7.一種電阻式隨機存取存儲器的制造方法，包括：
形成一第一介電層于一基板上，該第一介電層覆蓋位于該基板上的一柵極氧化物結構，其中該第一介電層的形成包括：
形成一第一絕緣層于該基板上；以及
形成一停止層于該第一絕緣層上，該停止層接觸該柵極氧化物結構的一頂表面，其中該停止層是一氫控制層；
形成一第一導電連接結構于該基板上且穿過該第一介電層；以及
形成一電阻式隨機存取內存單元于該第一導電連接結構上。
8.根據權利要求7所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其中該停止層是氫的比例小于7％的一少氫層。
9.根據權利要求7所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其中該停止層是厚度小于的一減薄層。
10.根據權利要求7述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其中該停止層是氫的比例小于7％且厚度小于的一減氫層。
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