[發(fā)明專利]薄膜晶體管及制備方法、顯示基板及制備方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710456964.0
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN107240610B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設計）人: 馮佑雄
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王曉燕

一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示基板及其制備方法、以及顯示裝置。該薄膜晶體管的制備方法包括：在襯底基板上形成有源層；在所述有源層上方形成柵極，該柵極與所述有源層絕緣；以柵極為掩模對所述有源層進行第一次摻雜；在所述柵極上方形成金屬層，該金屬層與所述柵極絕緣并具有突出部，所述柵極在所述襯底基板上的正投影為第一投影，所述金屬層在所述襯底基板上的正投影為第二投影，在所述金屬層的所述突出部對應的區(qū)域處所述第二投影突出于所述第一投影；以及以所述金屬層為掩模對所述有源層進行第二次摻雜。

技術領域

本公開的實施例涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示基板及其制備方法、以及顯示裝置。

背景技術

通常，顯示基板包括排列成矩陣的多個像素單元，每個像素單元包括顯示電極和對顯示電極進行驅動的薄膜晶體管。薄膜晶體管包括柵極、有源層、源電極和漏電極，有源層包括溝道區(qū)和分別位于溝道區(qū)兩側的源極區(qū)和漏極區(qū)。例如，源極區(qū)和漏極區(qū)為重摻雜區(qū)。為了減小薄膜晶體管的漏電流，例如可以在源極區(qū)與溝道區(qū)之間以及漏極區(qū)與溝道區(qū)之間設置輕摻雜區(qū)。然而，目前制作輕摻雜區(qū)的工藝太過復雜，有些生產者為了節(jié)省成本甚至不制作輕摻雜區(qū)。

發(fā)明內容

根據本公開的實施例，提供一種薄膜晶體管的制備方法。該薄膜晶體管的制備方法包括：在襯底基板上形成有源層；在所述有源層上方形成柵極，該柵極與所述有源層絕緣；以柵極為掩模對所述有源層進行第一次摻雜；在所述柵極上方形成金屬層，該金屬層與所述柵極絕緣并具有突出部，所述柵極在所述襯底基板上的正投影為第一投影，所述金屬層在所述襯底基板上的正投影為第二投影，在所述金屬層的所述突出部對應的區(qū)域處所述第二投影突出于所述第一投影；以及以所述金屬層為掩模對所述有源層進行第二次摻雜。

例如，除所述金屬層的所述突出部所對應的區(qū)域之外所述第一投影與所述第二投影重合。

例如，所述第一投影位于所述第二投影的內側。

例如，所述有源層在所述襯底基板上的投影為第三投影，除所述有源層的要被所述第二次摻雜進行摻雜的部分之外所述第二投影和所述第三投影重合。

例如，所述第二投影和所述第三投影均為S形。

例如，在所述柵極和所述金屬層之間具有層間絕緣層，并且所述方法還包括形成過孔，該過孔貫穿所述金屬層和所述層間絕緣層以露出所述柵極的一部分。

例如，所述第一次摻雜的摻雜類型與所述第二次摻雜的類型相同；所述有源層包括溝道區(qū)、第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)位于所述溝道區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之間；并且所述溝道區(qū)在所述第一次摻雜和所述第二次摻雜中均未被摻雜，所述第一摻雜區(qū)在所述第一次摻雜中被摻雜，所述第二摻雜區(qū)在所述第一次摻雜和所述第二次摻雜兩者中被摻雜。

例如，所述制備方法還包括形成源電極和漏電極，所述源電極與所述第二摻雜區(qū)連接。

例如，所述薄膜晶體管用于顯示基板，并且所述金屬層與所述源電極連接。

例如，所述第一次摻雜的摻雜濃度小于所述第二次摻雜的摻雜濃度。

根據本公開的實施例，提供一種顯示基板的制備方法。該顯示基板的制備方法包括：采用根據如上所述的制備方法制作薄膜晶體管；以及制作發(fā)光二極管，其中，所述薄膜晶體管的漏電極連接到發(fā)光二極管，所述薄膜晶體管的源電極以及所述金屬層連接到電源線。

例如，在所述柵極和所述金屬層之間具有層間絕緣層，所述柵極、所述層間絕緣層和所述金屬層構成電容。