[發明專利]自聚焦微透鏡光電導陣列天線

有效

• 申請號: 201710456717.0
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN107394398B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 施衛;董陳崗;侯磊;王少強;楊磊;王盼盼
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: H01Q1/52
• 分類號: H01Q1/52;H01Q21/00;H01Q19/06;H01Q15/02
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 燕肇琪

1.自聚焦微透鏡光電導陣列天線，其特征在于，包括自聚焦微透鏡陣列(1)，所述自聚焦微透鏡陣列(1)包括設置在透鏡架(11)上的若干個自聚焦微透鏡(12)，自聚焦微透鏡陣列(1)下部對應設置有GaAs光電導陣列天線(2)，所述GaAs光電導陣列天線(2)包括在襯底上設置的若干個天線陣元，每個天線陣元分別對應一個自聚焦微透鏡(12)，由一路輸入多路輸出電源(3)為若干個所述天線陣元供電；

所述天線陣元包括中心天線陣元和邊緣天線陣元，中心天線陣元的陣元間隙不小于邊緣天線陣元的陣元間隙。

2.根據權利要求1所述的自聚焦微透鏡光電導陣列天線，其特征在于，若干個所述自聚焦微透鏡(12)呈圓排布，邊緣部分的自聚焦微透鏡(12)圍繞中心位置的自聚焦微透鏡(12)構成同心圓環。

3.根據權利要求1所述的自聚焦微透鏡光電導陣列天線，其特征在于，所述自聚焦微透鏡(12)的焦點分別落在對應的所述天線陣元的陣元間隙中。

4.根據權利要求1所述的自聚焦微透鏡光電導陣列天線，其特征在于，所述一路輸入多路輸出電源(3)包括直流電壓源(31)，所述直流電壓源(31)的負極分別通過導線與所述天線陣元的負極連接，直流電壓源(31)的正極分別通過由導線依次連接的限流電阻(32)、電容(33)與所述天線陣元的正極連接。

5.根據權利要求1所述的自聚焦微透鏡光電導陣列天線，其特征在于，所述GaAs光電導陣列天線(2)的襯底是利用液拉直封法制備的＜100＞徑向的SI-GaAs襯底，其電阻率高于10⁷Ω·cm；在所述SI-GaAs襯底上使用光刻技術制備所述天線陣元的電極形狀，然后通過電子束蒸發在SI-GaAs襯底上分別沉積20-100nm的Ni，50-500nm的Au，20-100nm的Ge和50-100nm的Au，得到天線陣元，再在300℃-400℃的溫度范圍內快速退火1-2分鐘使天線陣元的電極合金化。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的自聚焦微透鏡光電導陣列天線，其特征在于，所述天線陣元的電極方向均一致。

7.根據權利要求6所述的自聚焦微透鏡光電導陣列天線，其特征在于，所述天線陣元的通態電阻的阻值相同。