[發明專利]氟化結構化有機膜層在審
| 申請號: | 201710456049.1 | 申請日: | 2017-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN107561879A | 公開(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發明(設計)人: | G·M·麥圭爾;楊素霞;N-X·胡;E·C·薩維奇;R·W·赫德里克 | 申請(專利權)人: | 施樂公司 |
| 主分類號: | G03G5/06 | 分類號: | G03G5/06 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371 | 代理人: | 李丙林,王玉桂 |
| 地址: | 美國康*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氟化 結構 有機 | ||
技術領域
本發明涉及用于成像構件的保護外涂層。更具體地說,提供了一種使用用于感光器的外涂層的結構化有機膜。
背景技術
在電子照相術、電子照相成像或靜電照相成像中,在導電層上含有光導絕緣層的電子照相的板、鼓、帶等的表面(成像構件或感光器)首先均勻地靜電充電。成像構件曝光于激活電磁輻射模式,如光。輻射選擇性地消散在光導絕緣層的照亮區域上的電荷,同時在未照亮區域上留下靜電潛像。此靜電潛像接著可通過在光導絕緣層的表面上沉積微細的驗電(electroscopic)標記粒子顯影以形成可見的圖象。所得可見的圖象接著可從成像構件直接或間接(如通過轉印或其它構件)轉印到印刷基底,如透明或紙。成像過程可用可再用的成像構件重復多次。
雖然可用多層帶或感光鼓獲得極佳的調色劑圖像,但是已發現隨著更先進更高速的電子照相復印機、復制器和打印機的開發,對打印質量有更高的要求。必須維持帶電圖像和偏置電位以及調色劑和/或顯影劑的特征的微妙平衡。這對感光器制造的質量并且因此對制造成品率施加了附加限制。
成像構件通常曝光于重復的電子照相循環,這使曝光的帶電輸送層或其替代的頂層經受機械磨損、化學侵蝕和熱。此重復循環導致曝光的帶電傳輸層的機械和電特性逐漸降低。在長期使用期間的物理和機械損壞,尤其是表面刮痕缺陷的形成是帶感光器的故障的主要原因之一。因此,期望提高感光器的機械魯棒性,且具體來說以增加其刮擦抗性,由此延長其使用壽命。此外,期望增加對光沖擊的抗性使得圖像重影、背景底紋等在印刷中最小化。
提供保護外涂層是延長感光器的使用壽命的常規手段。常規地,例如已采用聚合物抗擦傷和裂紋外涂層作為用于延長感光器壽命的魯棒外涂層設計。然而,常規外涂層調配物在印刷中呈現重影和背景底紋。提高抗光沖擊將提供更穩定的成像構件,從而得到改善的打印質量。
盡管已經采用用于形成成像構件的各種方法,但是仍需要改善的成像構件設計,以提供改善的成像性能和較長壽命,降低人類和環境健康風險等。
發明內容
根據實施例,提供了一種成像構件,其包括基底、電荷產生層、電荷傳輸層;和包含結構化有機膜(SOF)的最外層,所述結構化有機膜(SOF)包含氟化分子構建塊(building block)和空穴分子構建塊,其中氟化分子構建塊以最外層的SOF的約1重量%到約20重量%的量存在于SOF中。
根據另一實施例,提供了一種包括具有最外層的成像構件的靜電照相設備。最外層為包括多個氟化分子構建塊和多個空穴分子構建塊的結構化有機膜(SOF),其中氟化分子構建塊以SOF的約1重量%到約20重量%的量存在于SOF中。靜電照相裝置包括賦予成像構件靜電荷的充電單元,在成像構件上產生靜電潛像的曝光單元,在成像構件上產生圖像的圖像材料遞送單元和從成像構件轉印圖像的轉印單元。靜電照相裝置可任選地包括清潔單元。
根據另一實施例,提供了一種包括基底、電荷產生層、電荷傳輸層和最外層的成像構件。最外層為包括氟化分子構建塊和空穴分子構建塊的結構化有機膜(SOF),其中所述氟化分子構建塊以SOF的約1重量%到約10重量%的量存在于SOF中。
附圖說明
并入在本說明書中并且構成本說明書的一部分的附圖示出了本教示內容的若干實施例,并且與所述描述一起用以說明本教示內容的原理。
圖1表示結合本發明的FSOF的例示性感光器的簡化側視圖。
圖2表示結合本發明的FSOF的第二例示性感光器的簡化側視圖。
圖3表示結合本發明的FSOF的第三例示性感光器的簡化側視圖。
應注意,已經簡化并且繪制圖的一些細節以有助于了解實施例而不是維持嚴格的結構精確性、細節和比例。
具體實施方式
現將詳細參考本教示內容的實施例,其中所述實例在附圖中圖示出。只要可能,將在各圖中使用相同的參考標號來指代相同或相似部分。
在以下描述中,參考形成描述的一部分的附圖,并且其中借助于其中可實踐本教示內容的說明具體例示性實施例示出。足夠詳細地描述這些實施例以使本領域的技術人員能夠實踐本教示內容,且應了解可采用其它實施例并且可在不脫離本教示內容的范圍的情況下作出改變。因此,以下描述僅為說明性的。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于施樂公司,未經施樂公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710456049.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





