[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 201710455884.3 | 申請日： | 2017-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN108231740A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發明（設計）人： | 尼克薩姆拉;斯帝芬魯蘇 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬化層 半導體裝置 金屬化結構 電耦合 介電層 塔結構 襯底 通孔 延伸 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：
位于彼此頂上的第一金屬化層、第二金屬化層、及第三金屬化層，設置于襯底上方，其中所述第一金屬化層、所述第二金屬化層、及所述第三金屬化層中的每一者包括形成于相應介電層中的相應金屬化結構，其中所述第二金屬化層設置于所述第一金屬化層與所述第三金屬化層之間；以及
通孔塔結構，從所述第一金屬化層延伸至所述第三金屬化層，以電耦合所述第一金屬化層與所述第三金屬化層各自的所述相應金屬化結構的至少一部分。
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