[發明專利]一種柔性結構支撐襯底的制備方法在審
| 申請號: | 201710455849.1 | 申請日: | 2017-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN107275186A | 公開(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發明(設計)人: | 毛明明;馬滌非;張露;黃珊珊;張小賓 | 申請(專利權)人: | 中山德華芯片技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 廣州市華學知識產權代理有限公司44245 | 代理人: | 馮炳輝 |
| 地址: | 528437 廣東省中山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 結構 支撐 襯底 制備 方法 | ||
1.一種柔性結構支撐襯底的制備方法,其特征在于:該方法是將鐵氟龍薄膜貼在需要粘結的外延片表面,利用鐵氟龍薄膜的極度耐腐蝕性及熱塑性,確定特定厚度的薄膜,在高溫下進行處理,薄膜在高溫下呈現微熔特性,高溫處理完畢后再進行降溫處理,又將重新轉為固態,從而將薄膜與外延片進行粘接,在襯底剝離過程中起到支撐的作用;其包括以下步驟:
1)將生長完畢的外延片進行有機清洗及表面氧化物清洗,以提高金屬層在外延片表面的粘合力,其中,所述外延片包括從下至上依次層疊設置的襯底、AlAs犧牲層、器件功能結構層;
2)將清洗完畢的外延片移至電子束蒸發設備,采用電子束蒸發的方式進行金屬蒸鍍,蒸鍍完畢進行快速熱退火,使之形成歐姆接觸;
3)將鐵氟龍薄膜貼至已進行金屬制備的外延片表面;
4)將貼好的外延片放至退火爐進行高溫處理;
5)冷卻后得到粘接完好的外延片,此時能夠進行后續襯底剝離過程,粘接完好的薄膜將對剝離下的柔性結構提供良好的支撐。
2.根據權利要求1所述的一種柔性結構支撐襯底的制備方法,其特征在于:在步驟1)中,進行的有機清洗及表面氧化物清洗依次包括:丙酮超聲清洗5-7分鐘;異丙醇超聲清洗5-7分鐘;稀釋的鹽酸溶液50秒至70秒,稀釋配比為HCl:H2O=1:1;BOE溶液50秒至70秒。
3.根據權利要求1所述的一種柔性結構支撐襯底的制備方法,其特征在于:在步驟1)中,所述AlAs犧牲層厚度為5-15nm。
4.根據權利要求1所述的一種柔性結構支撐襯底的制備方法,其特征在于:在步驟1)中,所述金屬層中的金屬選擇有金粒、金鍺鎳粒、銀粒、鉑金粒,依據生長的外延層接觸層種類和摻雜類型而定。
5.根據權利要求1所述的一種柔性結構支撐襯底的制備方法,其特征在于:在步驟2)中,蒸鍍時,真空度控制在1E-7Torr之上,蒸鍍速率設定在2.5埃每秒至3.5埃每秒,蒸鍍厚度為3微米至5微米。
6.根據權利要求1所述的一種柔性結構支撐襯底的制備方法,其特征在于:在步驟3)中,所述鐵氟龍薄膜的厚度為50微米,形狀為圓形,直徑比待剝離的外延片直徑大3厘米。
7.根據權利要求1所述的一種柔性結構支撐襯底的制備方法,其特征在于:在步驟4)中,高溫處理溫度為340度,且通以氮氣氣氛,流量2L/min,高溫處理時間為2分鐘。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





