[發明專利]一種橫向恒流二極管在審
| 申請號： | 201710453945.2 | 申請日： | 2017-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN109148551A | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發明（設計）人： | 尚帝;潘偉;涂家欣 | 申請（專利權）人： | 樂山尚鼎科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 614000 *** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 恒流二極管 恒定電流 擊穿電壓 輕摻雜 阱區 空穴 半導體領域 傳統二極管 表面電場 傳統的 重摻雜 溝道 耗盡 引入 改進 | ||
【權利要求書】：
1.一種橫向恒流二極管，包括P型襯底(9)、陰極(1)和陽極(11)；所述P型襯底(9)上層的一側具有第一P型重摻雜區(3)，所述P型襯底上層的另一側具有N型阱區(8)；所述P型襯底(9)的下表面具有陰極(1)，其上表面具有氧化層(2)；所述N型阱區(8)上層靠近第一P型重摻雜區(3)的一側具有第一N型重摻雜區(4)，所述N型阱區(8)上層遠離第一P型重摻雜區(3)的一側具有第二N型重摻雜區(7)；所述第二N型重摻雜區(7)上表面具有陽極(11)，所述陽極(11)沿氧化層(2)上表面向靠近第一P型重摻雜區(3)的一側延伸形成陽極場板(13)；其特征在于，所述N型阱區(8)中還具有第二P型重摻雜區(5)和P型輕摻雜區(6)，所述第二P型重摻雜區(5)位于P型輕摻雜區(6)的上表面；所述第二P型重摻雜區(5)和P型輕摻雜區(6)位于第一P型重摻雜區(3)和第二N型重摻雜區(7)之間；所述第一P型重摻雜區(3)的上表面、第一N型重摻雜區(4)的上表面和第二P型重摻雜區(5)的上表面通過陰極(1)電氣連接，陰極(1)沿氧化層(2)的上表面向靠近第二N型重摻雜區(7)的一側延伸形成陰極場板(12)。
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