[發明專利]一種鈣鈦礦薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201710453035.4
• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN107302055B
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發明（設計）人: 黃程;牛高強;黃維
• 申請（專利權）人: 南京工業大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/48
• 代理公司: 11590 北京市領專知識產權代理有限公司
• 代理人: 林輝輪

1.一種鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)配制鈣鈦礦前驅液：

采用二甲基甲酰胺(DMF)做溶劑，按通式A_x(CH₃NH₃I)_1-xPbI₂的配比加入A、CH₃NH₃I和PbI₂，混合均勻，得到鈣鈦礦前驅液；

(2)旋涂：在將步驟(1)制得的鈣鈦礦前驅液在基片上進行旋涂，旋涂過程中一次性滴加50～100μl的氯苯，旋涂結束后，在100℃條件下加熱退火3-15min，即得鈣鈦礦薄膜；

步驟(1)中的通式A_x(CH₃NH₃I)_1-xPbI₂中，0<x<0.1，A為含氟或類含氟材料，A具體選自CF₃CH₂NH₃I、C₂F₅CH₂NH₃I、C₃F₇CH₂NH₃I、C₄F₉CH₂NH₃I、C₅F₁₁CH₂NH₃I、C₆F₁₃CH₂NH₃I、C₇F₁₅CH₂NH₃I、C₈F₁₇CH₂NH₃I、C₈H₁₇NH₃I、C₁₂H₂₅NH₃I、C₁₈H₃₇NH₃I、HOC₆H₁₂NH₃I、NH₄SCN、多巴胺類、多巴胺衍生物、聚谷氨酸芐酯、螺旋納米偶極分子、含氟酚羥基類聚酰亞胺或含氟磺化聚芳醚酮中的任意一種；

步驟(2)中，在旋涂開始后3～5S時一次性滴加50～100μl的氯苯。

2.如權利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，鈣鈦礦前驅液的濃度為30-50wt％。

3.如權利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，在基片上進行旋涂前將鈣鈦礦前驅液于60-70℃攪拌8-12h，然后用0.45μm的PTFE微孔過濾器過濾。

4.如權利要求1或2或3所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，旋涂時間為30-90s，旋涂的轉速為2000-6000rpm。