[發明專利]一次性可編程非易失性存儲器及其讀取傳感方法

有效

• 申請號: 201710452730.9
• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN108538334B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 陳勇叡
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王珊珊

1.一種一次性可編程非易失性存儲器，包括：

一存儲器陣列，具有M×N個存儲單元，且該存儲器陣列連接至M條字線與N條位線；

一控制電路，具有一電壓產生器，產生多個供應電壓至該存儲器陣列；一字線驅動器，連接至該M條字線，用以決定該M條字線其中之一為一選定字線；一行驅動器，產生N個行解碼信號，且該N個行解碼信號中僅有其中之一可被驅動；以及，一時序控制器，產生一重置信號與一使能信號；

一行選擇器，連接于該N條位線與一數據線，且該行選擇器根據該N個行解碼信號決定該N條位線其中之一為一選定位線以及其他(N-1)條位線為非選定位線，并將該選定位線連接至該數據線；

一預充電電路，連接于該N條位線，該預充電電路根據該N個行解碼信號而供應一預充電電壓至該(N-1)條非選定位線；

一重置電路，連接于該數據線，且在該重置信號激活時，提供一重置電壓至該數據線，且該預充電電壓大于該重置電壓；以及

一傳感放大器，連接至該數據線并接收一比較電壓，并在該使能信號激活時，至少比較該數據線的一電壓電平與該比較電壓一次來產生一輸出信號。

2.如權利要求1所述的一次性可編程非易失性存儲器，其中該預充電電路包括：N個開關晶體管；該N個開關晶體管的控制端接收對應的該N個行解碼信號，該N個開關晶體管的第一端連接至該預充電電壓；以及，該N個開關晶體管的第二端連接至對應的該N條位線。

3.如權利要求1所述的一次性可編程非易失性存儲器，其中該行選擇器包括：N個選擇晶體管；且該N個選擇晶體管的控制端接收對應的N個行解碼信號，該N個選擇晶體管的第一端連接至對應的該N條位線；以及該N個選擇晶體管的第二端連接至該數據線。

4.如權利要求1所述的一次性可編程非易失性存儲器，其中該重置電路包括：一開關晶體管；該開關晶體管的一控制端接收該重置信號，該開關晶體管的一第一端連接至該數據線，該開關晶體管的一第二端連接至該重置電壓。

5.如權利要求1所述的一次性可編程非易失性存儲器，其中該傳感放大器包括：一比較器，連接至該數據線并接收該比較電壓，并在該使能信號激活時，至少比較該數據線的該電壓電平與該比較電壓一次來產生該輸出信號。

6.如權利要求5所述的一次性可編程非易失性存儲器，其中該傳感放大器中也包括一漏電流補償器。

7.如權利要求6所述的一次性可編程非易失性存儲器，其中該漏電流補償器包括一MOS晶體管，具有一控制端接收一偏壓電壓，一第一端連接至該數據線，一第二端接收一接地電壓。

8.如權利要求1所述的一次性可編程非易失性存儲器，其中當該使能信號激活時，該傳感放大器比較該數據線的該電壓電平與該比較電壓多次后，并據以產生該輸出信號。

9.如權利要求1所述的一次性可編程非易失性存儲器，其中該選定字線與該選定位線可決定該存儲器陣列中的一選定存儲單元。

10.如權利要求9所述的一次性可編程非易失性存儲器，其中在一讀取周期時，該選定存儲單元所產生的一存儲單元電流對該數據線進行充電，使得該數據線上的該電壓電平由該重置電壓開始變化。

11.如權利要求1所述的一次性可編程非易失性存儲器，其中所述供應電壓包括一第一供應電壓與一第二供應電壓，且該M×N個存儲單元中具有一第一存儲單元，包括：

一第一選擇晶體管，具有一閘極連接至所述字線中的一第一字線，一第一源/漏端，以及一第二源/漏端連接至所述位線中的一第一位線；

一第一電容器，連接于該第一選擇晶體管的該第一源/漏端與該第一供應電壓之間；以及

一第二電容器，連接于該第一選擇晶體管的該第一源/漏端與該第二供應電壓之間。