[發(fā)明專利]制造具有垂直溝道結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的方法

在審

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• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN109148470A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙成洙
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：

(a)通過在基底上分別交替地堆疊層間絕緣層和犧牲層n次來形成堆疊結(jié)構(gòu)；

(b)在所述堆疊結(jié)構(gòu)上形成掩模圖案；

(c)通過使用所述掩模圖案作為蝕刻掩模來選擇性地蝕刻作為所述堆疊結(jié)構(gòu)的最上面的層間絕緣層的第n層間絕緣層；

(d)通過使用所述掩模圖案作為蝕刻掩模來選擇性地蝕刻作為所述堆疊結(jié)構(gòu)的最上面的犧牲層的第n犧牲層；

(e)蝕刻所述掩模圖案的側(cè)壁；

(f)通過使用蝕刻的掩模圖案作為蝕刻掩模來選擇性地蝕刻多個層間絕緣層；

(g)通過使用所述蝕刻的掩模圖案作為蝕刻掩模來選擇性地蝕刻多個犧牲層；以及

(h)通過重復(fù)操作(e)至(g)來形成階梯結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，包括在所述堆疊結(jié)構(gòu)中的n個層間絕緣層中的至少一個層間絕緣層的厚度與包括在所述堆疊結(jié)構(gòu)中的n-1個層中的至少一個層間絕緣層的厚度不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，操作(f)包括當(dāng)重復(fù)k次操作(f)時同時蝕刻從第n-k層間絕緣層到第n層間絕緣層的總數(shù)為k+1個層的層間絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，操作(g)包括當(dāng)重復(fù)k次操作(g)時同時蝕刻從第n-k犧牲層到第n犧牲層的總數(shù)為k+1個層的犧牲層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，操作(h)包括重復(fù)操作(e)至(g)直到作為所述堆疊結(jié)構(gòu)的最下面的犧牲層的第一犧牲層被蝕刻為止。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述層間絕緣層是氧化硅層，所述犧牲層為氮化硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，操作(b)包括光刻工藝。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，操作(e)不包括光刻工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括：在操作(a)和(b)之間，在所述堆疊結(jié)構(gòu)內(nèi)部形成在與所述基底垂直的方向上延伸的溝道區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括：在操作(h)之后，

形成覆蓋所述階梯結(jié)構(gòu)的絕緣層；

去除所述階梯結(jié)構(gòu)的犧牲層；

在所述犧牲層被從其中去除的空間中形成柵電極層；以及

形成連接到所述柵電極層的接觸塞。