[發明專利]一種摻雜CdTe納米光伏材料的制備方法有效
| 申請號: | 201710452467.3 | 申請日: | 2017-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN107104158B | 公開(公告)日: | 2019-01-25 |
| 發明(設計)人: | 李志彬;魏雷杰 | 申請(專利權)人: | 紹興文理學院 |
| 主分類號: | H01L31/0296 | 分類號: | H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京華仲龍騰專利代理事務所(普通合伙) 11548 | 代理人: | 李靜 |
| 地址: | 312000 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 摻雜 cdte 納米 材料 制備 方法 | ||
1.一種摻雜CdTe納米光伏材料的制備方法,其特征在于:其步驟如下:
步驟1,將碲粉放入無水乙醇中,加入聚乙烯吡咯烷酮,超聲攪拌形成分散均勻的懸濁醇液;
步驟2,將氯化鎘加入水中,攪拌溶解后緩慢滴加懸濁醇液,直至完全攪拌均勻,減壓蒸餾至乙醇完全排除,得到懸濁水溶液;
步驟3,將懸濁水溶液放入反應釜中,然后通入氨氣進行循環曝氣反應2-5h,自然冷卻,得到配位懸濁液;
步驟4,將配位懸濁液進行氯氣曝氣反應3-5h,然后恒壓回流反應5-8h,冷卻過濾后得到沉淀物;
步驟5,將沉淀物放入氯化鎘甲醇液中,攪拌均勻后噴灑至基材表面,然后進行退火處理3h,冷卻后得到摻雜CdTe納米光伏材料。
2.根據權利要求 1 所述的一種摻雜CdTe納米光伏材料的制備方法,其特征在于:所述步驟1中的碲粉濃度為20-30mg/L,所述聚乙烯吡咯烷酮的加入量是碲粉摩爾量的5-8%,所述超聲攪拌的頻率為5-10kHz,所述超聲攪拌時間為10-30min。
3.根據權利要求 1 所述的一種摻雜CdTe納米光伏材料的制備方法,其特征在于:所述步驟2中的氯化鎘加入量是碲粉摩爾量的1.1-1.2倍,所述水的加入量是無水乙醇的0.3-0.5,所述緩慢滴加的速度是4-8mL/min。
4.根據權利要求 1 所述的一種摻雜CdTe納米光伏材料的制備方法,其特征在于:所述步驟2中的減壓蒸餾的溫度為80-90℃,所述減壓蒸餾的壓力為大氣壓的50-60%,所述減壓蒸餾時間為2-3h,所述減壓蒸餾的體積是原體積的40-50%。
5.根據權利要求 1 所述的一種摻雜CdTe納米光伏材料的制備方法,其特征在于:所述步驟3中的氨氣加入量是碲粉摩爾的1.5-1.7倍,所述曝氣流速為10-15mL/min,所述曝氣反應溫度為60-70℃。
6.根據權利要求 1 所述的一種摻雜CdTe納米光伏材料的制備方法,其特征在于:所述步驟4中的氯氣的通入量是碲粉的1.8-2.2倍,所述氯氣曝氣反應的溫度為60-100℃,所述曝氣流速為5-8mL/min,所述恒壓回流反應的壓力為大氣壓,所述溫度為100-110℃,所述回流采用水冷卻。
7.根據權利要求 6 所述的一種摻雜CdTe納米光伏材料的制備方法,其特征在于:所述氯氣曝氣反應采用梯度反應,即60-65℃持續反應0.5-1h,80-90℃反應0.5h,100℃反應至結束。
8.根據權利要求 1 所述的一種摻雜CdTe納米光伏材料的制備方法,其特征在于:所述步驟5中氯化鎘甲醇溶液的濃度為10-15mg/L,所述攪拌速度為1500-2000r/min。
9.根據權利要求 1 所述的一種摻雜CdTe納米光伏材料的制備方法,其特征在于:所述步驟5中的噴灑量為2-4mg/cm2,所述退火溫度為400-450℃,所述退火反應采用氮氣保護退火反應,所述退火反應采用梯度退火法,即在200-250℃條件下反應1-2h,然后持續在350℃反應,直至反應結束前在400-450℃條件下反應0.5h。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





