[發明專利]一種大面積分子晶體及其制備方法有效
| 申請號： | 201710452228.8 | 申請日： | 2017-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN109137083B | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發明（設計）人： | 江浪;石燕君;劉潔 | 申請（專利權）人： | 中國科學院化學研究所 |
| 主分類號： | C30B29/54 | 分類號： | C30B29/54;C30B19/00;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/50;H01L51/54;G01D5/26 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 關暢;王春霞 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 大面積 分子 晶體 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種大面積分子晶體的制備方法，包括如下步驟：
將有機半導體溶液置于疏水性基底上，并用親水性基底覆蓋所述疏水性基底，經生長即在所述親水性基底上得到分子晶體；
所述生長的時間為0.5小時~2天，反應溫度為室溫；
所述生長在半封閉體系或全封閉體系下進行；
所述有機半導體溶液采用的溶劑為氯苯、三氯甲烷、二氯苯和二甲苯中至少一種；
所述有機半導體溶液的質量體積濃度為0.01mg/mL~15mg/mL；
所述有機半導體溶液的溶質為有機半導體分子；
所述有機半導體分子為2,2’-3,7-二-3-己基十一烷基-2,6-二氰代亞甲基-并四噻吩；
所述疏水性基底為十八烷基三氯硅烷、2-（芐氧羰基）芐基、十八烷基三甲氧基硅烷、六甲基二硅烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯或聚苯乙烯磺酸鈉修飾的氧化摻雜的硅片；
所述親水性基底為氧化摻雜的硅片。
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