[發明專利]過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法在審
| 申請號： | 201710451994.2 | 申請日： | 2017-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN107301961A | 公開（公告）日： | 2017-10-27 |
| 發明（設計）人： | 王東雷 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產權代理有限公司11372 | 代理人： | 吳大建,何嬌 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 尺寸 圖形 重合 精度 點位量測 方法 | ||
1.一種過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S10：在面板上設置測試區域；
S20：在所述測試區域內同一點位分別量測過孔的尺寸與圖形的重合精度。
2.根據權利要求1所述的過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，其特征在于，步驟S20包括以下子步驟：
S21：在測試區域內同一點位分別設置過孔量測位置與圖形重合精度測量位置；
S22：在所述過孔量測位置搜索與目標圖形相匹配的過孔，并測量所述過孔的尺寸；
S23：在所述圖形重合精度測量位置搜索與目標圖形相匹配的圖形，并測量所述圖形的重合精度。
3.根據權利要求2所述的過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，其特征在于，所述過孔量測位置位于顯示區域之外。
4.根據權利要求1-3中任意一項所述的過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，其特征在于，所述過孔的尺寸為過孔的寬度尺寸。
5.根據權利要求4所述的過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，其特征在于，步驟S22中，測量所述過孔的尺寸時，通過線寬測量儀抓取過孔的兩條邊線，并測量兩條邊線之間的距離。
6.根據權利要求1-3中任意一項所述的過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，其特征在于，所述圖形的重合精度為當前圖層上的圖形與相應的對位層上的圖形在水平方向和豎直方向上的重合精度。
7.根據權利要求6所述的過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，其特征在于，步驟S23中，測量所述圖形的重合精度時，通過線寬測量儀分別抓取當前圖層上圖形的邊線以及相應的對位層上的圖形的邊線，并計算兩個圖形的邊線的重合精度。
8.根據權利要求7所述的過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，其特征在于，通過線寬測量儀先抓取當前圖層上圖形的四條邊，后抓取對位層上的圖形的四條邊。
9.根據權利要求1-3中任意一項所述的過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，其特征在于，所述測試區域位于介質層、光阻層、金屬層或絕緣層。
10.根據權利要求1-3中任意一項所述的過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，其特征在于，所述過測試區域為一組或兩組。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
