[發明專利]晶閘管分支滿布N+放大門極

有效

• 申請號: 201710451834.8
• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN107180866B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 王正鳴;高山城;郭永忠;張猛
• 申請（專利權）人: 西安派瑞功率半導體變流技術股份有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/10
• 代理公司: 西安文盛專利代理有限公司 61100
• 代理人: 彭冬英

1.晶閘管分支滿布N+放大門極，其特征在于：從晶閘管陰極方向俯視按摻雜類型區域劃分為中心P型門極區(1)、N+型環形放大門極區(2)、N+型枝條放大門極區(3)、P型隔離放大門極區(4)、N+型主晶閘管有效陰極區(5)、分布在N+型主晶閘管有效陰極區(5)內的P型短路點(6)及邊緣P型臺面區(7)，N+型環形放大門極區(2)和N+型枝條放大門極區(3)枝條內摻雜N+摻雜形成輔助晶閘管的陰極區，使輔助晶閘管的陰極區延伸至枝條得以充分擴展，放大門極由N+型環形放大門極區(2)和N+型枝條放大門極區(3)組成，邊緣P型臺面區(7)位于芯片的最外端,與N+型主晶閘管有效陰極區(5)相連接。

2.如權利要求書1所述的晶閘管分支滿布N+放大門極，其特征在于：P型放大門極區(4)將N+型環形放大門極區(2)及N+型枝條放大門極區(3)共同構成的輔助晶閘管的有效陰極區與主晶閘管的有效陰極區(5)分隔，并使兩者之間距離(10)始終保持0.3mm±0.01mm,這樣一個盡可能小但足夠電極分離的距離。

3.如權利要求書1所述的晶閘管分支滿布N+放大門極，其特征在于：N+型枝條放大門極區(3)枝條數為6條。

4.如權利要求書1所述的晶閘管分支滿布N+放大門極，其特征在于：N+型枝條放大門極區(3)枝條粗細可漸變，根部最粗處(8)為1.0mm±0.01mm，最細處(9)為0.3mm±0.01mm，并在主干末端分叉為Y字型，兩根Y字型指條寬度為0.3mm±0.01mm,繼續向主晶閘管陰極邊緣延伸以使枝條占用面積最小而延伸長度即起始導通周界最大。