[發(fā)明專利]提升PERC背鈍化效果的電池制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710451290.5 | 申請(qǐng)日： | 2017-06-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107221580B | 公開（公告）日： | 2018-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉陽;孫鐵囤;姚偉忠 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 于桂賢 |
| 地址： | 213000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 提升 perc 鈍化 效果 電池 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種提升PERC背鈍化效果的電池制備方法，包括清洗、擴(kuò)散、洗磷、熱氧化、背鈍化、正面鍍膜、激光刻槽和絲網(wǎng)印刷。本發(fā)明提供的一種提升PERC背鈍化效果的電池制備方法，在洗磷后經(jīng)熱氧化解決洗磷后存在的雜質(zhì)等，并且熱氧化過程中硅片表面易生成一層薄薄的SiOx層，這層SiOx層可以提高M(jìn)AIA的背鈍化效果，增加氧化鋁的致密性，改善了EL等良率問題，從而提升MAIA的背鈍化效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電池工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種提升PERC背鈍化效果的電池制備方法。
背景技術(shù)
目前，背鈍化電池作為一種新興的高效電池技術(shù)，有效的鈍化了電池背面復(fù)合，并降低了背面的發(fā)射率，從而有效的吸收了長(zhǎng)波段的光，使得電池效率有了大的飛躍；并且由于鈍化層的介入，電池片的翹曲度也得到了一定的改善。
常規(guī)的電池制備工藝依次經(jīng)過清洗、擴(kuò)散、洗磷、MAIA、正鍍、激光刻槽和印刷等幾個(gè)步驟，其中，硅片在洗磷后直接做MAIA，但是，洗磷過后存在風(fēng)刀未徹底吹干，硅片表面容易殘留部分的藥液，表面存在水紋印等，這些殘留物會(huì)影響AlOx，影響MAIA的背鈍化效果不好，最終導(dǎo)致電致發(fā)光EL的異常，如水紋印，黑邊，黑點(diǎn)等，從而影響效率。其中，MAIA是指MEYER BURGER TECHNOLOGY公司的背鈍化設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：為了克服現(xiàn)有技術(shù)中洗磷后殘留藥液和水紋印等的不足，本發(fā)明提供一種提升PERC背鈍化效果的電池制備方法。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所要采用的技術(shù)方案是：一種提升PERC背鈍化效果的電池制備方法，包括在硅片上進(jìn)行清洗、擴(kuò)散、洗磷、MAIA、正面鍍膜、激光刻槽和絲網(wǎng)印刷，其特征在于，在洗磷和MAIA工藝之間增加熱氧化工藝。
所述熱氧化具體包括，
步驟1：將硅片送入爐中，其中進(jìn)舟時(shí)間為750s，通大氮進(jìn)行保護(hù)，其中，大氮的流量為8000～15000sccm；
步驟2：硅片送入爐中過后，通小氧進(jìn)行熱氧化，小氧的流量范圍為20～200sccm，通氧時(shí)間為3000～5000s，同時(shí)通大氮，大氮的流量范圍為8000～15000sccm之間；
步驟3：熱氧化結(jié)束后，關(guān)閉小氧流量器，繼續(xù)通大氮進(jìn)行保護(hù)，其中，大氮的流量范圍為8000～15000sccm之間，出舟時(shí)間為750s。
大氮在整個(gè)熱氧化過程中起到了保護(hù)氣體和攜帶氣體的作用，先通過通大氮將爐中的空氣排出，然后通小氧，由于氧的流量很小，直接通入爐內(nèi)不好控制，易造成分布不均勻，使硅片的熱氧化反應(yīng)也不均勻，采用大氮作為攜帶體，能充分與小氧混合，使硅片的熱氧化效果更好，熱氧化結(jié)束后，爐內(nèi)硅片溫度還會(huì)維持在一個(gè)較高的溫度范圍內(nèi)，因此，采用繼續(xù)通大氮一方面是避免空氣進(jìn)入爐內(nèi)產(chǎn)生多余的反應(yīng)，對(duì)硅片起到一定的保護(hù)作用；另一方面，采用大氮帶走爐內(nèi)的熱量可以實(shí)現(xiàn)降溫散熱。
上述步驟具體包括：
清洗，將硅片在HF/HNO3混合溶液中清洗，去除表面損傷層、切割線痕以及金屬離子等；
擴(kuò)散，將硅片進(jìn)行常壓擴(kuò)散，其方阻控制在70Ω～150Ω范圍內(nèi)；
洗磷，利用HF/HNO3和KOH進(jìn)行清洗，除去表面的PSG和進(jìn)行背面拋光；
熱氧化，洗磷過后，將硅片送入氧化爐中，溫度控制在500℃～900℃范圍內(nèi)，時(shí)間控制在50min～200min范圍內(nèi)；
背鈍化：利用MAIA進(jìn)行背鈍化，利用MAIA設(shè)備同時(shí)鍍上AlOx和SiNx層，其中總厚度控制在50nm～300nm之間；
正面鍍膜，為減少正面反射，增加載流子壽命，提高電流，利用管式PECVD進(jìn)行正面鍍膜，其膜厚控制在50nm～120nm之間；
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
