[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710450329.1
• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN107564853B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃翊銘;張世杰;李承翰
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/088
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

使用第一前體、第二前體和蝕刻前體將塊體源極/漏極區(qū)域外延生長到襯底上，其中，所述蝕刻前體在外延生長所述塊體源極/漏極區(qū)域時具有第一橫向蝕刻速率；

清潔所述塊體源極/漏極區(qū)域，其中，清潔所述塊體源極/漏極區(qū)域通過引入與所述塊體源極/漏極區(qū)域的材料反應(yīng)的成形前體和所述蝕刻前體來改變所述塊體源極/漏極區(qū)域的表面的晶體結(jié)構(gòu)，其中，所述蝕刻前體在清潔所述塊體源極/漏極區(qū)域時具有高于所述第一橫向蝕刻速率的第二橫向蝕刻速率；以及

在清理所述塊體源極/漏極區(qū)域之后，在所述塊體源極/漏極區(qū)域上外延生長完成區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，清潔所述塊體源極/漏極區(qū)域包括將鍺引入所述塊體源極/漏極區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，通過將所述塊體源極/漏極區(qū)域的表面暴露于GeH₄來執(zhí)行所述鍺的引入。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，外延生長所述完成區(qū)域的步驟比外延生長所述塊體源極/漏極區(qū)域的時間短。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述襯底包括第一鰭。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述襯底包括與所述第一鰭相鄰且間隔距離不大于100nm的第二鰭。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻前體是鹽酸。

8.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在第一步驟中將第一材料的第一層生長到襯底上，其中，生長所述第一層包括引入第一前體、第二前體和蝕刻劑，其中，蝕刻劑在所述第一步驟中具有第一橫向蝕刻速率；

在所述第一步驟之后的第二步驟中，通過所述蝕刻劑和成形前體改變所述第一層的表面的晶體結(jié)構(gòu)，其中，所述蝕刻劑在所述第二步驟中具有高于所述第一步驟的所述第一橫向蝕刻速率的第二橫向蝕刻速率；以及

在第三步驟中，在所述第一層上生長所述第一材料的第二層，其中，生長所述第一材料的所述第二層包括引入所述第一前體、所述第二前體和所述蝕刻劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一材料是硅磷，所述成形前體包括鍺。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述蝕刻劑是鹽酸。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，生長所述第一層包括引入二氯硅烷和PH₃，并且所述蝕刻劑是鹽酸。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，至少部分地通過將所述第一層暴露于所述蝕刻劑和包含鍺的成形前體來執(zhí)行通過所述蝕刻劑和所述成形前體改變所述第一層的表面的晶體結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，利用第一組工藝條件來執(zhí)行生長所述第一層，并且利用所述第一組工藝條件但是不同的時間來執(zhí)行生長所述第二層。

14.一種半導(dǎo)體器件，包括：

溝道區(qū)域，位于半導(dǎo)體材料內(nèi)；以及

源極/漏極區(qū)域，與所述溝道區(qū)域相鄰，其中，所述源極/漏極區(qū)域具有在0.05和10之間的高寬比，并且包括：

塊體部分，具有第一摻雜劑的第一濃度；

界面區(qū)域，具有小于所述第一濃度的所述第一摻雜劑的第二濃度；和

清潔區(qū)域，具有大于所述第二濃度的所述第一摻雜劑的第三濃度。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一摻雜劑是磷。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述清潔區(qū)域包括不存在于所述塊體部分中的成形摻雜劑。