[發(fā)明專利]熔絲陣列和存儲(chǔ)器裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710450312.6
• 申請(qǐng)日: 2017-06-15
• 公開（公告）號(hào): CN109147857B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜盈德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C17/16
• 分類號(hào): G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 喬媛;湯在彥

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例提供了一種熔絲陣列和存儲(chǔ)器裝置，熔絲陣列包括多個(gè)熔絲以及多個(gè)第一D型觸發(fā)器，多個(gè)熔絲用以產(chǎn)生多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)，多個(gè)第一D型觸發(fā)器分別耦接至每一上述熔絲，以接收對(duì)應(yīng)的熔絲所產(chǎn)生的上述數(shù)據(jù)信號(hào)，且傳送一時(shí)脈信號(hào)以及上述數(shù)據(jù)信號(hào)至多個(gè)存儲(chǔ)器單元包含的多個(gè)第二D型觸發(fā)器，上述第一D型觸發(fā)器以串聯(lián)的方式連接，且上述第二D型觸發(fā)器以串聯(lián)方式連接。本發(fā)明提供的熔絲陣列和存儲(chǔ)器裝置可以避免信號(hào)線過多的情形產(chǎn)生。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明說明書主要是有關(guān)于一存儲(chǔ)器裝置技術(shù)，特別是有關(guān)于通過串聯(lián)的D型觸發(fā)器傳送熔絲陣列的信號(hào)的存儲(chǔ)器裝置技術(shù)。

背景技術(shù)

為了能夠提升半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的生產(chǎn)良品率和降低生產(chǎn)成本，在存儲(chǔ)器裝置中的每一存儲(chǔ)器單元會(huì)配置一冗余存儲(chǔ)器。當(dāng)存儲(chǔ)器單元的部分字線或位線發(fā)生故障時(shí)，就會(huì)使用冗余存儲(chǔ)器的字線或位線來進(jìn)行修補(bǔ)。

傳統(tǒng)上，會(huì)通過激光的方式來熔斷熔絲(fuse)，以使得冗余存儲(chǔ)器的字線或位線可以取代存儲(chǔ)器單元發(fā)生故障的字線或位線。然而，隨著半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)的進(jìn)步，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置所需的尺寸也越來越小。因此，熔絲(或熔絲陣列)會(huì)被獨(dú)立配置在存儲(chǔ)器單元之外以節(jié)省空間，且每一熔絲都會(huì)通過一信號(hào)線連接至控制器，以指示是否使用冗余存儲(chǔ)器的字線或位線取代存儲(chǔ)器單元發(fā)生故障的字線或位線。

然而，當(dāng)所有熔絲被獨(dú)立配置在存儲(chǔ)器單元之外時(shí)，也就表示當(dāng)所需傳送的信號(hào)越多(即配置的熔絲越多)，所需的信號(hào)線的數(shù)量也會(huì)因而增加。因此，信號(hào)線將會(huì)占用了許多半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的布線(layout)面積，使得布線的難度也會(huì)因而增加。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于上述先前技術(shù)的問題，本發(fā)明提供了通過串聯(lián)的D型觸發(fā)器傳送熔絲陣列的信號(hào)的熔絲陣列和存儲(chǔ)器裝置。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例提供了一種熔絲陣列。上述熔絲陣列包括多個(gè)熔絲以及多個(gè)第一D型觸發(fā)器。多個(gè)熔絲用以產(chǎn)生多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)。多個(gè)第一D型觸發(fā)器分別耦接至每一上述熔絲，以接收對(duì)應(yīng)的熔絲所產(chǎn)生的上述數(shù)據(jù)信號(hào)，且傳送一時(shí)脈信號(hào)以及上述數(shù)據(jù)信號(hào)至多個(gè)存儲(chǔ)器單元包含的多個(gè)第二D型觸發(fā)器。上述第一D型觸發(fā)器以串聯(lián)的方式連接，且上述第二D型觸發(fā)器以串聯(lián)方式連接。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)器裝置。上述存儲(chǔ)器裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元、一時(shí)脈產(chǎn)生器以及一熔絲陣列。每一上述存儲(chǔ)器單元包含一存儲(chǔ)器陣列以及一冗余陣列。時(shí)脈產(chǎn)生器用以產(chǎn)生時(shí)脈信號(hào)。熔絲陣列包括多個(gè)熔絲以及多個(gè)第一D型觸發(fā)器。多個(gè)熔絲會(huì)產(chǎn)生多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)。多個(gè)第一D型觸發(fā)器耦接上述時(shí)脈產(chǎn)生器以接收上述時(shí)脈信號(hào)，且分別耦接至上述熔絲之一者，以接收對(duì)應(yīng)的熔絲所產(chǎn)生的上述數(shù)據(jù)信號(hào)。此外，多個(gè)第一D型觸發(fā)器傳送上述時(shí)脈信號(hào)以及上述數(shù)據(jù)信號(hào)至上述每一存儲(chǔ)器單元包含的多個(gè)第二D型觸發(fā)器。上述多個(gè)第一D型觸發(fā)器和上述多個(gè)第二D型觸發(fā)器以串聯(lián)的方式連接，且上述多個(gè)第一D型觸發(fā)器和上述多個(gè)第二D型觸發(fā)器的數(shù)量相同。

關(guān)于本發(fā)明其他附加的特征與優(yōu)點(diǎn)，此領(lǐng)域的熟習(xí)技術(shù)人士，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可根據(jù)本案實(shí)施方法中所揭露的存儲(chǔ)器裝置，做些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾而得到。

附圖說明

圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器裝置100的方塊圖。

圖2為顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器單元110的示意圖。

圖3為顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述的熔絲陣列120的示意圖。

圖4為顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述的D型觸發(fā)器D1和D型觸發(fā)器D2的連接關(guān)系的示意圖。

圖5A為顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述的通過熔絲陣列120調(diào)整多個(gè)電路200的示意圖。

圖5B為顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述的D型觸發(fā)器D3和D型觸發(fā)器D4的連接關(guān)系的示意圖。

附圖標(biāo)號(hào)