[發明專利]鋁合金導體、鋁合金絞線、被覆電線、線束以及鋁合金導體的制造方法有效
| 申請號: | 201710450122.4 | 申請日: | 2013-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN107254611B | 公開(公告)日: | 2019-04-02 |
| 發明(設計)人: | 關谷茂樹;吉田祥;須齊京太;水戶瀨賢悟 | 申請(專利權)人: | 古河電器工業株式會社;古河AS株式會社 |
| 主分類號: | C22C21/00 | 分類號: | C22C21/00;C22C21/08;C22C21/02;C22C21/14;C22C21/16;C22F1/043;C22F1/057;C22F1/047;C22F1/04;H01B1/02 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 李艷;臧建明 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鋁合金 導體 被覆 電線 以及 制造 方法 | ||
1.一種鋁合金導體,其特征在于,具有如下組成:Mg:0.50~1.00質量%、Si:0.50~1.00質量%、Fe:0.15~0.90質量%、Ti:0.000~0.100質量%、B:0.000~0.030質量%、Cu:0.00~1.00質量%、Ag:0.00~0.50質量%、Au:0.00~0.50質量%、Mn:0.00~1.00質量%、Cr:0.00~1.00質量%、Zr:0.00~0.50質量%、Hf:0.00~0.50質量%、V:0.00~0.50質量%、Sc:0.00~0.50質量%、Co:0.00~0.50質量%、Ni:0.00~0.50質量%、余量:Al以及不可避免的雜質,
粒徑為0.5~5.0μm的Mg2Si化合物的分散密度為3.0×10-3個/μm2以下,
母相的晶粒之間的晶界中的Si以及Mg的濃度均在2.00質量%以下。
2.一種鋁合金導體,其特征在于,具有如下組成:Mg:0.10~0.50質量%、Si:0.10~0.50質量%、Fe:0.15~0.45質量%、Ti:0.000~0.100質量%、B:0.000~0.030質量%、Cu:0.00~1.00質量%、Ag:0.00~0.50質量%、Au:0.00~0.50質量%、Mn:0.00~1.00質量%、Cr:0.00~1.00質量%、Zr:0.00~0.50質量%、Hf:0.00~0.50質量%、V:0.00~0.50質量%、Sc:0.00~0.50質量%、Co:0.00~0.50質量%、Ni:0.00~0.50質量%、余量:Al以及不可避免的雜質,
粒徑為0.5~5.0μm的Mg2Si化合物的分散密度為3.0×10-3個/μm2以下,
母相的晶粒之間的晶界中的Si以及Mg的濃度均在2.00質量%以下。
3.根據權利要求1或2所述的鋁合金導體,其中,母相的晶粒之間的晶界中的Si以及Mg的濃度均在1.2質量%以下。
4.根據權利要求1或2所述的鋁合金導體,其中,所述組成含有選自Ti:0.005~0.050質量%以及B:0.001~0.020質量%中的1種或2種。
5.根據權利要求1或2所述的鋁合金導體,其中,所述組成含有選自Cu:0.01~1.00質量%、Ag:0.01~0.50質量%、Au:0.01~0.50質量%、Mn:0.01~1.00質量%、Cr:0.01~1.00質量%、Zr:0.01~0.50質量%、Hf:0.01~0.50質量%、V:0.01~0.50質量%、Sc:0.01~0.50質量%、Co:0.01~0.50質量%、以及Ni:0.01~0.50質量%中的1種或2種以上。
6.根據權利要求1或2所述的鋁合金導體,其中,Fe、Ti、B、Cu、Ag、Au、Mn、Cr、Zr、Hf、V、Sc、Co、Ni的含量總和為0.20~0.60質量%。
7.根據權利要求1或2所述的鋁合金導體,其中,沖擊吸收能量為5J/mm2以上。
8.根據權利要求1或2所述的鋁合金導體,其中,通過彎曲疲勞試驗測定的到斷裂為止的反復次數為20萬次以上。
9.根據權利要求1或2所述的鋁合金導體,其中,所述鋁合金導體的導線束的直徑為0.1~0.5mm。
10.一種鋁合金絞線,是捻合多條權利要求9所述的導線束而得到。
11.一種被覆電線,是在權利要求9所述的導線束或權利要求10所述的鋁合金絞線的外周具有被覆層。
12.一種線束,具備權利要求11所述的被覆電線和安裝在該被覆電線的、除去了所述被覆層的端部的端子。
13.根據權利要求1或2所述的鋁合金導體的制造方法,其特征在于,該鋁合金導體的制造方法包含在熔化、鑄造后,經熱加工形成盤條,然后,依序進行第一拉絲加工、第一熱處理、第二拉絲加工、第二熱處理以及時效熱處理的各工序,
所述第一熱處理是在加熱至480~620℃的范圍內的規定溫度后,以10℃/s以上的平均冷卻速度冷卻到至少150℃的溫度,
所述第二熱處理是以低于2分鐘的時間加熱到300℃以上且低于480℃的范圍內的規定溫度后,以9℃/s以上的平均冷卻速度冷卻到至少150℃的溫度。
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