[發明專利]射頻前端模塊、集成射頻接收機芯片及控制方法

有效

• 申請號: 201710450004.3
• 申請日: 2017-06-14
• 公開（公告）號: CN108306653B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 李進;鐘錦定;韓業奇;錢曉輝;楊琦;王林;王珂
• 申請（專利權）人: 和芯星通（上海）科技有限公司;和芯星通科技（北京）有限公司
• 主分類號: H04B1/16
• 分類號: H04B1/16
• 代理公司: 深圳國新南方知識產權代理有限公司 44374
• 代理人: 周雷

1.一種射頻前端模塊，其特征在于，其包括低噪聲放大器、第一諧振電路、輔助校準振蕩器、射頻濾波器和后置射頻放大器，所述低噪聲放大器分別與所述第一諧振電路、所述射頻濾波器電性連接，所述第一諧振電路與所述輔助校準振蕩器電性連接，包括有可變電容C2；所述低噪聲放大器與第一諧振電路、輔助校準振蕩器電性連接形成的通路以實現調頻；所述輔助校準振蕩器用于控制所述第一諧振電路的可變電容C2，以致所述輔助校準振蕩器在用戶所需頻率下工作；所述射頻濾波器與后置射頻放大器電性連接，所述低噪聲放大器、射頻濾波器和后置射頻放大器電性連接形成另一通路，在調頻結束后，開啟低噪聲放大器、射頻濾波器和后置射頻放大器，所述第一諧振電路用于當所述輔助校準振蕩器關閉時，致使所述低噪聲放大器、所述射頻濾波器在所述用戶所需頻率下工作；所述第一諧振電路還包括電容C1和電感L1，所述可變電容C2、所述電容C1、所述電感L1三者并聯，并聯后的一端分別與所述低噪聲放大器、所述射頻濾波器電性連接，并聯后的另一端與所述輔助校準振蕩器電性連接。

2.根據權利要求1所述的射頻前端模塊，其特征在于，所述射頻濾波器包括可變電容C3、可變電容C4、可變電容C5、可變電容C6、以及三個第二諧振電路，所述可變電容C3、所述可變電容C4、所述可變電容C5、所述可變電容C6依次連接，所述可變電容C3與所述可變電容C4之間設有第一連接點，第一個第二諧振電路的一端與所述第一連接點連接，第一個第二諧振電路的另一端接地；所述可變電容C4與所述可變電容C5之間設有第二連接點，第二個第二諧振電路的一端與所述第二連接點連接，第二 個第二諧振電路的另一端接地；所述可變電容C5與所述可變電容C6之間設有第三連接點，第三個第二諧振電路的一端與所述第三連接點連接，第三 個第二諧振電路的另一端接地；所述可變電容C3的一端作為所述射頻濾波器的輸入端，所述可變電容C6的一端作為所述射頻濾波器的輸出端。

3.根據權利要求2所述的射頻前端模塊，其特征在于，所述第二諧振電路包括可變電容和電感，所述可變電容與電感并聯，并聯后的一端接地，并聯后的另一端與所述第一連接點、所述第二連接點或所述第三連接點連接。

4.根據權利要求2所述的射頻前端模塊，其特征在于，所述第二諧振電路包括串聯的兩個電感L5、串聯的兩個可變電容C1、MOS管M1、MOS管M2、恒流源Is、電容C2以及電容C3，所述串聯的兩個電感L5與所述串聯的兩個可變電容C1并聯，并聯后的一端分別與所述電容C2的一端、所述MOS管M2的漏極、所述MOS管M1的柵極電性連接，并聯后的另一端分別與所述電容C3的一端、所述MOS管M1的漏極、所述MOS管M2的柵極電性連接，所述恒流源的一端分別與所述MOS管M1的源極、所述MOS管M2的源極電性連接，所述恒流源的另一端接地，所述電容C2的另一端接地，所述電容C3的另一端與所述第一連接點、所述第二連接點或所述第三連接點連接。

5.一種集成射頻接收機芯片，其特征在于，其包括權利要求1-4之一所述的射頻前端模塊。

6.根據權利要求5所述的集成射頻接收機芯片，其特征在于，其還包括依次電性連接的變頻器、中頻濾波器、可調增益放大器和模數轉換器，所述變頻器與所述射頻前端模塊的后置射頻放大器電性連接。

7.一種集成射頻接收機芯片的控制方法，其特征在于，其應用于權利要求6所述集成射頻接收機芯片，所述控制方法包括：

輔助校準振蕩器用于控制第一諧振電路，以致所述輔助校準振蕩器在用戶所需頻率下工作；

當所述輔助校準振蕩器關閉時，所述第一諧振電路致使低噪聲放大器、射頻濾波器均在所述用戶所需頻率下工作。