[發明專利]鐵電內存及其數據讀取、寫入與制造方法和電容結構

在審

• 申請號: 201710449284.6
• 申請日: 2017-06-14
• 公開（公告）號: CN109087674A
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 劉福洲
• 申請（專利權）人: 薩摩亞商費洛儲存科技股份有限公司
• 主分類號: G11C11/22
• 分類號: G11C11/22
• 代理公司: 深圳精智聯合知識產權代理有限公司 44393
• 代理人: 夏聲平

1.一種鐵電內存的數據讀取方法，適用于讀取儲存在一鐵電內存中的數據，該鐵電內存包括至少一鐵電記憶胞，該鐵電記憶胞包括一第一場效應晶體管以及一第一鐵電電容，該第一場效應晶體管包括控制端、第一通路端及第二通路端，該第一鐵電電容包括第一電容端與第二電容端，該第一場效應晶體管的控制端電性耦接至一第一字線，該第一場效應晶體管的第一通路端電性耦接至一第一位線，該第一場效應晶體管的第二通路端電性耦接至該第一鐵電電容的第一電容端，該第一鐵電電容的第二電容端電性耦接至一板線，其特征在于：

提供一第一訊號至該板線，其中該第一訊號在一第一時段之中的電位與在該第一時段之外的電位不同；

提供一第二訊號至該第一字線，其中該第二訊號在一第二時段之中的電位與在該第二時段之外的電位不同；

在該第二時段之中，取得該第一位線的一第一數據訊號；

在該第一時段之中，根據該第一數據訊號的電位與一第一參考電位之間的關系，寫入對應的數據至該鐵電記憶胞中；以及

根據該第一數據訊號的電位與該第一參考電位之間的關系，輸出該鐵電記憶胞所儲存的數據，

其中，該第一時段完全涵蓋該第二時段，且在該第一時段之中，該第一訊號的電位維持不變。

2.根據權利要求1所述的數據讀取方法，其特征在于：

在該第二時段結束的同時或之后，調整該第一位線的電位至一預設電位。

3.根據權利要求2所述的數據讀取方法，其特征在于，在該第一時段之中，根據該第一數據訊號的電位與該第一參考電位之間的關系，寫入對應的數據至該鐵電記憶胞中的步驟，包括：

在該第二時段中寫入一第一數據至該鐵電記憶胞時，偏壓該第一位線至一第一數據寫入電位；以及

在該第二時段中寫入一第二數據至該鐵電記憶胞時，偏壓該第一位線至一第二數據寫入電位，

其中，該預設電位介于該第一數據寫入電位與該第二數據寫入電位之間，且該預設電位不等于該第一數據寫入電位，也不等于該第二數據寫入電位。

4.根據權利要求1所述的數據讀取方法，其中該鐵電內存還包括一第二場效應晶體管，該第二場效應晶體管包括控制端、第一通路端及第二通路端，該第二場效應晶體管的控制端電性耦接至一第二字線，該第二場效應晶體管的第一通路端電性耦接至一第二位線，該第二場效應晶體管的第二通路端電性耦接至該第一鐵電電容的第一電容端，其特征在于還包括下列步驟：

提供一第三訊號至該第二字線，其中該第三訊號在一第三時段之中的電位與在該第三時段之外的電位不同，

其中，該第一時段完全涵蓋該第三時段，且根據該第一數據訊號的電位與該第一參考電位之間的關系，寫入對應的數據至該鐵電記憶胞中的步驟，是發生在該第三時段中。

5.根據權利要求4所述的數據讀取方法，其特征在于：在該第一時段之中，根據該第一數據訊號的電位與該第一參考電位之間的關系，寫入對應的數據至該鐵電記憶胞中的步驟，包括：

在該第一時段中寫入一第一數據至該鐵電記憶胞時，偏壓該第二位線至一第一數據寫入電位；以及

在該第一時段中寫入一第二數據至該鐵電記憶胞時，偏壓該第二位線至一第二數據寫入電位。

6.一種鐵電內存的數據寫入方法，適用于在一鐵電內存中寫入數據，該鐵電內存包括至少一鐵電記憶胞，該鐵電記憶胞包括一第一場效應晶體管以及一第一鐵電電容，該第一場效應晶體管包括控制端、第一通路端及第二通路端，該第一鐵電電容包括第一電容端與第二電容端，該第一場效應晶體管的控制端電性耦接至一字線，該第一場效應晶體管的第一通路端電性耦接至一第一位線，該第一場效應晶體管的第二通路端電性耦接至該第一鐵電電容的第一電容端，該第一鐵電電容的第二電容端電性耦接至一板線，其特征在于：

提供一第一訊號至該板線，其中該第一訊號在一第一時段之中的電位與在該第一時段之外的電位不同；

提供一第二訊號至該字線，其中該第二訊號在一第二時段之中的電位與在該第二時段之外的電位不同；以及

在該第二時段中，提供與要寫入該鐵電記憶胞的數據相對應的一寫入訊號至該第一位線，

其中，該第一時段完全涵蓋該第二時段，且在該第一時段之中，該第一訊號的電位維持不變。