[發(fā)明專利]一種低寄生電感功率模塊及雙面散熱低寄生電感功率模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710448407.4 | 申請日： | 2017-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN107170714B | 公開（公告）日： | 2020-01-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 牛利剛;王玉林;滕鶴松;徐文輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 揚(yáng)州國揚(yáng)電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/14 | 分類號： | H01L23/14;H01L23/367;H01L23/49;H01L25/07 |
| 代理公司： | 32204 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人： | 陳靜 |
| 地址： | 225000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 寄生 電感 功率 模塊 雙面 散熱 | ||
1.一種低寄生電感功率模塊，其特征在于，包括輸入功率端子、輸出功率端子(3)、頂部金屬絕緣基板(4)、底部金屬絕緣基板(5)和塑封外殼(15)，所述輸入功率端子包括正極功率端子(1)、負(fù)極功率端子(2)，頂部金屬絕緣基板(4)與底部金屬絕緣基板(5)疊層設(shè)置，頂部金屬絕緣基板(4)與底部金屬絕緣基板(5)在二者相對的面上均燒結(jié)有芯片，正極功率端子(1)、負(fù)極功率端子(2)以及與輸出功率端子(3)均與芯片電連接；所述輸出功率端子(3)包括焊接部(31)和位于塑封外殼(15)外部的連接部(32)，所述焊接部(31)位于頂部金屬絕緣基板(4)與底部金屬絕緣基板(5)之間；
關(guān)于頂部金屬絕緣基板(4)與底部金屬絕緣基板(5)上芯片的設(shè)置，有第一方案和第二方案這兩個并列方案：
第一方案為：所述底部金屬絕緣基板(5)上燒結(jié)有上半橋開關(guān)芯片(6)和上半橋二極管芯片(7)，頂部金屬絕緣基板(4)上燒結(jié)有下半橋開關(guān)芯片(8)和下半橋二極管芯片(9)，所述上半橋開關(guān)芯片(6)與下半橋二極管芯片(9)疊層設(shè)置，下半橋開關(guān)芯片(8)與上半橋二極管芯片(7)疊層設(shè)置，焊接部(31)位于頂部金屬絕緣基板(4)上燒結(jié)的芯片和底部金屬絕緣基板(5)上燒結(jié)的芯片之間；
第二方案為：所述頂部金屬絕緣基板(4)上燒結(jié)的芯片為下半橋二極管芯片(9)和上半橋二極管芯片(7)，底部金屬絕緣基板(5)上燒結(jié)的芯片為下半橋開關(guān)芯片(8)和上半橋開關(guān)芯片(6)，其中，下半橋二極管芯片(9)與上半橋開關(guān)芯片(6)疊層設(shè)置，上半橋二極管芯片(7)與下半橋開關(guān)芯片(8)疊層設(shè)置，焊接部(31)位于頂部金屬絕緣基板(4)上燒結(jié)的芯片和底部金屬絕緣基板(5)上燒結(jié)的芯片之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低寄生電感功率模塊，其特征在于，對于第一方案，所述正極功率端子(1)燒結(jié)在底部金屬絕緣基板(5)上，負(fù)極功率端子(2)燒結(jié)在頂部金屬絕緣基板(4)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低寄生電感功率模塊，其特征在于，對于第一方案，所述正極功率端子(1)燒結(jié)在底部金屬絕緣基板(5)上，負(fù)極功率端子(2)燒結(jié)在頂部金屬絕緣基板(4)上，底部金屬絕緣基板(5)或頂部金屬絕緣基板(4)上設(shè)有輸出局部金屬層(562)，輸出功率端子(3)通過輸出局部金屬層(562)連接有芯片連接塊，芯片連接塊與底部金屬絕緣基板(5)上的芯片和頂部金屬絕緣基板(4)上的芯片電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低寄生電感功率模塊，其特征在于，對于第一方案，所述正極功率端子(1)和負(fù)極功率端子(2)均燒結(jié)在頂部金屬絕緣基板(4)上，并且至少一個輸入功率端子與底部金屬絕緣基板(5)通過金屬連接柱相連；或者，正極功率端子(1)和負(fù)極功率端子(2)均燒結(jié)在底部金屬絕緣基板(5)上，并與頂部金屬絕緣基板(4)通過金屬連接柱相連；或者，正極功率端子(1)和負(fù)極功率端子(2)與頂部金屬絕緣基板(4)和底部金屬絕緣基板(5)均燒結(jié)；所述焊接部(31)位于頂部金屬絕緣基板(4)上燒結(jié)的芯片和底部金屬絕緣基板(5)上燒結(jié)的芯片之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低寄生電感功率模塊，其特征在于，對于第二方案，所述正極功率端子(1)和負(fù)極功率端子(2)均燒結(jié)在頂部金屬絕緣基板(4)上，并且至少一個輸入功率端子與底部金屬絕緣基板(5)通過金屬連接柱相連；或者，正極功率端子(1)和負(fù)極功率端子(2)均燒結(jié)在底部金屬絕緣基板(5)上，并與頂部金屬絕緣基板(4)通過金屬連接柱相連；或者，正極功率端子(1)和負(fù)極功率端子(2)與頂部金屬絕緣基板(4)和底部金屬絕緣基板(5)均燒結(jié)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低寄生電感功率模塊，其特征在于，所述焊接部(31)在面向底部金屬絕緣基板(5)的一面與上半橋開關(guān)芯片(6)和上半橋二極管芯片(7)燒結(jié)，在面向頂部金屬絕緣基板(4)的一面與下半橋開關(guān)芯片(8)和下半橋二極管芯片(9)燒結(jié)。
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