[發明專利]一種含InGaN插入層的增強型GaN_HEMT制備方法在審
| 申請號： | 201710448194.5 | 申請日： | 2017-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN107221498A | 公開（公告）日： | 2017-09-29 |
| 發明（設計）人： | 林書勛 | 申請（專利權）人： | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/335 | 分類號： | H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都華風專利事務所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐豐 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ingan 插入 增強 gan_hemt 制備 方法 | ||
1.一種含InGaN插入層的增強型GaN_HEMT制備方法，包括如下步驟：
步驟1：在襯底上生長GaN HEMT異質結構，從下至上包括成核層、緩沖層、插入層和勢壘層；
步驟2：在上述異質結構之上繼續生長InGaN氧化層，作為后續工藝的氧化腐蝕自停止層；
步驟3：在氧化層上繼續生長GaN層，和氧化層配合抬高下方異質結中二維電子氣溝道至內部費米能級之上，至此完成外延結構生長；
步驟4：通過光刻顯影方式和剝離工藝，在上述外延結構上形成P型柵極氧化保護掩膜，并打開P型柵極以外的區域，通過氧等離子和熱氧化方法對該區域進行氧化；
步驟5：在上述經過氧化的晶圓上進行濕法腐蝕，溶解InGaN的氧化物進而移除P型柵極區域以外的P型GaN層，最后去除P型柵極保護掩膜；
步驟6：在上述完成P型柵極制備的GaN HEMT結構的晶圓上，進行GaN HEMT器件工藝制備，依次進行有源區隔離，源、漏極歐姆金屬制備，柵極金屬制備，表面鈍化層制備及其開孔，電極加厚，金屬互聯等相關工藝。
2.根據權利要求1所述的含InGaN插入層的增強型GaN_HEMT制備方法，其特征在于：所述步驟1和步驟2所采用的生長方式包括MOCVD，MBE和HVPE。
3.根據權利要求1所述的含InGaN插入層的增強型GaN_HEMT制備方法，其特征在于：所述InGaN層厚度為5-20n，In組分含量在5％-40％之間，摻雜類型為P型。
4.根據權利要求1所述的含InGaN插入層的增強型GaN_HEMT制備方法，其特征在于：所述GaN層為P型GaN外延，厚度為5-100nm。
5.根據權利要求1所述的含InGaN插入層的增強型GaN_HEMT制備方法，其特征在于：所述步驟4中氧化溫度為600℃以下，氧化時間1-60分鐘。
6.根據權利要求1所述的含InGaN插入層的增強型GaN_HEMT制備方法，其特征在于：所述濕法腐蝕的腐蝕溶液腐蝕溶可以是KOH，HCl和有機溶液，濕法腐蝕溫度低于100℃，濕法腐蝕時間30-120分鐘。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
