[發明專利]一種非晶氧化物薄膜晶體管及其制備方法在審
| 申請號： | 201710448040.6 | 申請日： | 2017-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN107170833A | 公開（公告）日： | 2017-09-15 |
| 發明（設計）人： | 寧洪龍;劉賢哲;姚日暉;李曉慶;張嘯塵;徐苗;王磊;彭俊彪;王曉峰;張紫辰 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/428;H01L21/34 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司44245 | 代理人： | 羅嘯秋 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化物 薄膜晶體管 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種非晶氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于包括如下制備步驟：
(1)在玻璃基板上直流磁控濺射Al:Nd薄膜作為柵極，然后在Al:Nd薄膜柵極表面氧化生長AlOx:Nd柵極絕緣層；
(2)采用射頻磁控濺射在柵絕緣層上沉積氧化物半導體薄膜，作為有源層，氧化物半導體薄膜厚度為5～30nm；
(3)利用光刻技術在STO薄膜上直流磁控濺射制備源/漏電極；
(4)將步驟(3)所得器件在能量密度為20～100mJ/cm2的全固態激光條件下進行激光能量密度處理，得到所述非晶氧化物薄膜晶體管。
2.根據權利要求1所述的一種非晶氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述Al:Nd薄膜的厚度為100～300nm；所述AlOx:Nd柵極絕緣層的厚度為200～400nm。
3.根據權利要求1所述的一種非晶氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述Al:Nd的摻雜濃度為1～5at％。
4.根據權利要求1所述的一種非晶氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述的氧化物半導體薄膜的材料為STO-5。
5.根據權利要求1所述的一種非晶氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述全固態激光的波長為230～400nm。
6.一種非晶氧化物薄膜晶體管，其特征在于：通過權利要求1～5任一項所述的方法制備得到。
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