[發明專利]一種憶阻器的Simulink模型建立方法在審
| 申請號： | 201710447945.1 | 申請日： | 2017-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN107273610A | 公開（公告）日： | 2017-10-20 |
| 發明（設計）人： | 盧智偉;董華鋒;吳福根 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 510062 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 憶阻器 simulink 模型 建立 方法 | ||
1.一種憶阻器的Simulink模型建立方法，其特征在于，包括：
根據憶阻器的氧空位預設初始濃度，以及摻雜區的氧空位實時濃度與施加電壓的關系，建立所述摻雜區的氧空位實時濃度模型；
基于P型半導體電阻率定義，根據所述氧空位實時濃度模型，計算出所述摻雜區的實時電阻率；
根據所述實時電阻率、非摻雜區電阻率以及所述憶阻器的參數，分別計算出摻雜區實時電阻和非摻雜區實時電阻；
根據所述摻雜區實時電阻和所述非摻雜區實時電阻，建立所述憶阻器的億阻值模型；
基于所述億阻值模型，建立simulink模型。
2.如權利要求1所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，所述氧空位實時濃度模型具體為其中，n0為所述氧空位預設初始濃度，U(t)為所述施加電壓。
3.如權利要求2所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，所述基于P型半導體電阻率定義，根據所述氧空位實時濃度模型，計算出所述摻雜區的實時電阻率包括：
將所述憶阻器作為P型半導體，根據所述氧空位實時濃度模型計算出所述摻雜區的所述實時電阻率；
其中，所述實時電阻率為q為電子電荷，u為離子遷移率。
4.如權利要求3所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，所述根據所述實時電阻率、非摻雜區電阻率以及所述憶阻器的參數，分別計算出摻雜區實時電阻和非摻雜區實時電阻包括：
獲取所述憶阻器的總長度參數、摻雜區長度參數和所述非摻雜區電阻率；
根據所述實時電阻率、所述總長度參數以及所述摻雜區長度參數，計算出所述摻雜區實時電阻；
根據所述非摻雜區電阻率、所述總長度參數以及所述摻雜區長度參數，計算出所述非摻雜區實時電阻；
其中，所述摻雜區實時電阻為w(t)為所述摻雜區長度隨時間變化關系，s為所述憶阻器的橫截面積；所述非摻雜區實時電阻為D為所述總長度參數，p非摻雜為所述非摻雜區電阻率。
5.如權利要求4所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，所述根據所述摻雜區實時電阻和所述非摻雜區實時電阻，建立所述憶阻器的億阻值模型包括：
將所述摻雜區實時電阻和所述非摻雜區實時電阻相加，得出所述億阻值模型；
其中，所述億阻值模型為
6.如權利要求1至5任一項所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，所述基于所述億阻值模型，建立simulink模型包括：
基于所述憶阻器模型，利用simulink中的比例增益運算、乘法器、加分器以及積分器，搭建所述simulink模型。
7.如權利要求6所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，在所述基于所述億阻值模型，建立simulink模型之后還包括：
獲取多個預設輸入信號；
基于所述simulink模型，依次輸出多個所述預設輸入信號的電流電壓曲線。
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