[發(fā)明專利]一種變比例鈦鋁共晶的GaNHEMT歐姆接觸工藝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710447733.3
• 申請日: 2017-06-14
• 公開（公告）號: CN107275199B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設計）人: 林書勛
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L21/336
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐

1.一種變比例鈦鋁共晶的GaNHEMT歐姆接觸工藝方法，包括如下步驟：

步驟1：在一個已完成的GaNHEMT外延結構表面使用光刻板在光刻膠上進行光刻顯影形成歐姆電極圖形；

步驟2：在步驟1形成的帶電極區(qū)域光刻膠的晶圓上，沉積歐姆金屬Ti和Al，同時濺射這兩種金屬，通過分別控制Ti和Al的射頻電源功率來控制兩種金屬的沉積速率，使靠近半導體的一側Al含量較高，在接近電極表面的一側Al的含量降低，然后在沉積的歐姆金屬上依次沉積阻擋層金屬和電極金屬；

步驟3：使用濕法浸泡，去離子水清洗的方法剝離步驟2中的歐姆金屬,形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域；

步驟4：使用快速熱退火進行歐姆合金反應，形成歐姆接觸電極。

2.根據(jù)權利要求1所述的變比例鈦鋁共晶的GaNHEMT歐姆接觸工藝方法，其特征在于：所述歐姆金屬的沉積分為4個階段：第一階段厚度比Ti/Al為1:12,第二階段厚度比Ti/Al為1:8；第三階段厚度比Ti/Al為1:4；第四階段厚度比Ti/Al為1:2；每一個階段的Al含量根據(jù)相應比例依次降低,金屬厚度在1-100nm。

3.根據(jù)權利要求1所述的變比例鈦鋁共晶的GaNHEMT歐姆接觸工藝方法，其特征在于：所述阻擋層金屬為高熔點金屬，所述電極金屬為抗氧化的貴重金屬，阻擋層金屬和電極金屬沉積方式包括磁控濺射和電子束蒸發(fā)。

4.根據(jù)權利要求1所述的變比例鈦鋁共晶的GaNHEMT歐姆接觸工藝方法，其特征在于：所述歐姆金屬合金反應溫度為400-900℃，反應時間10-600秒，反應氣體為氮氣或惰性氣體，氣體流量2.5-5L/min。