[發(fā)明專利]具有多個接觸插塞的裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710447702.8
• 申請日: 2017-06-14
• 公開（公告）號: CN108735656B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王朝勳;楊復(fù)凱;王美勻;趙高毅
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種多個接觸插塞的制造方法，其特征在于，包含：

形成一晶體管，包含：

形成一源極/漏極區(qū)于一虛擬柵極堆疊的一側(cè)；

形成一第一層間介電層，其中該第一層間介電層覆蓋該源極/漏極區(qū)；以及

以一取代柵極堆疊取代該虛擬柵極堆疊；

形成一第二層間介電層于該第一層間介電層及該取代柵極堆疊上方；

形成一下源極/漏極接觸插塞，其中該下源極/漏極接觸插塞電性耦合至該源極/漏極區(qū)，其中該下源極/漏極接觸插塞穿過該第一層間介電層和該第二層間介電層；

形成一第三層間介電層于該第二層間介電層上方；

形成一柵極接觸插塞于該第二層間介電層和該第三層間介電層中；以及

形成一上源極/漏極接觸插塞，其中該上源極/漏極接觸插塞重疊并接觸該下源極/漏極接觸插塞，其中該上源極/漏極接觸插塞穿過該第三層間介電層，且該上源極/漏極接觸插塞和該柵極接觸插塞是由不同材料所形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多個接觸插塞的制造方法，其特征在于，該柵極接觸插塞的一深寬比大于該上源極/漏極接觸插塞的一深寬比，且該柵極接觸插塞具有高于該上源極/漏極接觸插塞的一電阻率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多個接觸插塞的制造方法，其特征在于，該上源極/漏極接觸插塞及該柵極接觸插塞是通過分開的制程所形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多個接觸插塞的制造方法，其特征在于，該柵極接觸插塞的一整體是由沉積一均相材料所形成，該上源極/漏極接觸插塞是通過沉積一復(fù)合結(jié)構(gòu)所形成，且該復(fù)合結(jié)構(gòu)包含一下層和位于該下層上方的一上層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多個接觸插塞的制造方法，其特征在于，該柵極接觸插塞的該整體是由金屬氮化物所形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多個接觸插塞的制造方法，其特征在于，該柵極接觸插塞的該整體是由氮化鈦所形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多個接觸插塞的制造方法，其特征在于，以該取代柵極堆疊取代該虛擬柵極堆疊的操作包含：

移除該虛擬柵極堆疊，以形成一溝渠于該第一層間介電層中；

形成一柵極間隙壁于該溝渠中；以及

形成該取代柵極堆疊于該溝渠中。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多個接觸插塞的制造方法，其特征在于，形成該下源極/漏極接觸插塞的操作包含：

蝕刻該第二層間介電層及該第一層間介電層，以形成一源極/漏極接觸開口；

形成一接觸間隙壁于該源極/漏極開口中；以及

將一金屬材料填充至該源極/漏極開口中，以形成該下源極/漏極接觸插塞。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多個接觸插塞的制造方法，其特征在于，形成該接觸間隙壁的操作包含形成一高介電常數(shù)間隙壁。

10.一種具有多個接觸插塞的裝置，其特征在于，包含：

一第一層間介電層；

一柵極堆疊，位于該第一層間介電層中；

一第二層間介電層，位于該第一層間介電層上方；

一源極/漏極區(qū)域，相鄰于該柵極堆疊；

一下源極/漏極接觸插塞，位于該源極/漏極區(qū)域上方并電性耦合至該源極/漏極區(qū)域，其中該下源極/漏極接觸插塞穿過該第一層間介電層和該第二層間介電層；

一上源極/漏極接觸插塞，位于該下源極/漏極接觸插塞上方并接觸該下源極/漏極接觸插塞；以及

一柵極接觸插塞，位于該柵極堆疊上方并接觸該柵極堆疊，其中該上源極/漏極接觸插塞以及該柵極接觸插塞是由不同材料所形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有多個接觸插塞的裝置，其特征在于，該上源極/漏極接觸插塞以及該柵極接觸插塞具有不同的電阻值。