[發明專利]存儲器系統及其操作方法

有效

• 申請號: 201710446458.3
• 申請日: 2017-06-14
• 公開（公告）號: CN107527652B
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 謝明輝;連存德;林紀舜
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發明提供一種存儲器系統包括非易失性存儲器陣列以及存儲器控制器。非易失性存儲器陣列用以存儲數據。存儲器控制器耦接非易失性存儲器陣列。在電路板裝設操作施加前，存儲器控制器用以提供預設寫入操作以寫入數據至非易失性存儲器陣列。在電路板裝設操作施加后，存儲器控制器用以提供正常寫入操作以寫入數據至非易失性存儲器陣列。由預設寫入操作提供的讀取邊限大于由正常寫入操作提供的讀取邊限。另外，一種存儲器系統的操作方法也被提出。

技術領域

本發明涉及一種存儲器系統，尤其涉及一種適用于檢測存儲器系統是否經歷電路板裝設操作的存儲器系統及其操作方法。

背景技術

非易失性存儲器擁有即使斷電后存儲數據也不會消失的優點，因此對許多電子產品來說，為了維持正常運作，非易失性存儲器成為一種不可或缺的存儲元件。目前，非易失性存儲器被分為許多類型。電阻式隨機存取存儲器(RRAM)是產業界正積極研制的一種非易失性存儲器，具有低寫入操作電壓、寫入與抹除時間短暫、長期存儲時間、非破壞性讀取、多狀態存儲、結構簡單與小占用面積等優勢，未來在個人電腦與電子設備發展上具有很大的應用潛力。

然而，關于非易失性存儲器的可靠度仍存在許多問題。其中一個問題就是因為高溫環境下的電阻漂移所產生的數據保存錯誤，這會造成在高溫過程后從非易失性存儲器讀取的數據會跟原本存儲在非易失性存儲器中的數據不同。此外，當非易失性存儲器通過表面貼焊技術(surface mount technology,SMT)而被直接裝設或置放在印刷電路板表面上，也必需用到高溫條件下(例如，1到3次以260℃處理30秒)的回焊步驟，這可能嚴重地造成數據毀損問題。在目前技術下很難確知伴隨高溫的電路板裝設操作是否已經施加在非易失性存儲器上。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種存儲器系統及其操作方法，其中通過執行預設寫入操作來判斷電路板裝設操作是否施加在存儲器系統上。另外，可實現存儲器系統的良好數據保存特性。

本發明提供一種存儲器系統包括非易失性存儲器陣列以及存儲器控制器。非易失性存儲器陣列用以存儲數據。存儲器控制器耦接非易失性存儲器陣列。在電路板裝設操作施加前，存儲器控制器用以提供預設寫入操作以寫入數據至非易失性存儲器陣列。在電路板裝設操作施加后，存儲器控制器用以提供正常寫入操作寫入數據至非易失性存儲器陣列。由預設寫入操作提供的讀取邊限大于由正常寫入操作提供的讀取邊限。

本發明還提供一種存儲器系統的操作方法，包括以下步驟。在電路板裝設操作施加前，提供預設寫入操作以寫入數據至存儲器系統的非易失性存儲器陣列。在電路板裝設操作施加后，提供正常寫入操作以寫入數據至非易失性存儲器陣列。由預設寫入操作所提供的讀取邊限大于由正常寫入操作所提供的讀取邊限。

基于上述，在本發明中的實施例中，預設寫入操作例如是強寫入操作，以用于至少執行初始化非易失性存儲器陣列，使得通過足夠并切換狀態的選定的存儲單元數量來決定電路板裝設操作是否施加在非易失性存儲器陣列上。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉數個實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1示出本發明一實施例的電阻式存儲器系統的方塊圖。

圖2示出圖1實施例的電阻式存儲單元的配置范例示意圖。

圖3示出本發明一實施例的存儲單元的分布示意圖。

圖4示出本發明一實施例的強寫入與正常寫入操作的示意圖。

圖5示出本發明另一實施例的強寫入與正常寫入操作的示意圖。

圖6示出本發明另一實施例的強寫入與正常寫入操作的示意圖。

圖7示出本發明一實施例的存儲器系統的操作方法的流程圖。

圖8示出本發明另一實施例的存儲器系統操作方法的流程圖。