[發明專利]雙面顯示裝置及其制備方法有效
| 申請號: | 201710445917.6 | 申請日: | 2017-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN107104132B | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發明(設計)人: | 徐超 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰;黃進 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙面 顯示裝置 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及平板顯示技術領域,尤其是一種雙面顯示裝置及其制備方法。
背景技術
平板顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點,得到了廣泛的應用。現有的平板顯示裝置主要包括液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,LCD)及有機電致發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示裝置。
目前,電子產品的形式趨于多樣化,雙面顯示功能成為新世代電子產品的重要特色。例如,手機內部的雙面顯示裝置可以一面顯示手機主功能窗口,另一面顯示時間;例如,在公共場合使用雙面顯示器讓顯示器兩側的人員都能看到展示的各種內容。目前業界所生產的雙面顯示裝置通常是兩個單面顯示面板對貼組合而成,可以是一LCD面板與一OLED面板背靠背設置,或者是兩個LCD面板背靠背設置,或者是兩個OLED面板背靠背設置。
采用兩個單面顯示面板背靠背對貼組裝形成的雙面顯示裝置,其結構比較厚且重量較大,制造成本高,不符合消費者期望的輕薄與高性價比的要求。
發明內容
鑒于現有技術存在的不足,本發明提供了一種雙面顯示裝置及其制備方法,以獲得更加輕薄化的雙面顯示裝置。
為了達到上述目的,本發明采用了如下技術方案:
一種雙面顯示裝置,包括顯示面相背離設置的第一OLED顯示面板和第二OLED顯示面板,其中,所述第一OLED顯示面板和第二OLED顯示面板具有共用的共享陰極層;所述第一OLED顯示面板包括依次疊層設置在所述共享陰極層的第一表面的第一電子傳輸層、第一發光層、第一空穴傳輸層、第一陽極層以及第一陣列基板;所述第二OLED顯示面板包括依次疊層設置在所述共享陰極層的第二表面的第二電子傳輸層、第二發光層、第二空穴傳輸層、第二陽極層以及第二陣列基板;其中,所述第二表面是與所述第一表面相對的表面。
其中,所述第二電子傳輸層包括依次疊層設置的第三電子傳輸層和第四電子傳輸層,所述第三電子傳輸層和第四電子傳輸層通過一透明電子膠層粘接結合。
其中,所述透明電子膠層的厚度為10~100nm。
其中,所述透明電子膠層的材料為山梨醇或二甲基亞砜。
其中,所述第一陣列基板和所述第二陣列基板分別為薄膜晶體管陣列基板,所述第一陽極層和所述第二陽極層中分別包括多個陣列設置的陽極,所述第一發光層和所述第二發光層分別包括多個陣列設置的紅色發光單元、綠色發光單元和藍色發光單元。
本發明還提供了一種雙面顯示裝置的制備方法,其包括步驟:
提供第一陣列基板,在所述第一陣列基板上依次疊層制備形成第一陽極層、第一空穴傳輸層、第一發光層、第一電子傳輸層和共享陰極層;
提供第二陣列基板,在所述第二陣列基板上依次疊層制備形成第二陽極層、第二空穴傳輸層、第二發光層和第四電子傳輸層;
在所述共享陰極層上制備形成第三電子傳輸層;
將所述第四電子傳輸層連接于所述第三電子傳輸層;其中,所述第四電子傳輸層與所述第三電子傳輸層疊層連接形成第二電子傳輸層。
其中,將所述第四電子傳輸層貼合連接于所述第三電子傳輸層的步驟具體包括:在所述第三電子傳輸層上制備形成第一透明電子膠層;在所述第四電子傳輸層上制備形成第二透明電子膠層;將所述第二透明電子膠層朝向所述第一透明電子膠層壓合,并進行高溫烘烤使所述第一透明電子膠層和第二透明電子膠層相互熔合為一體形成一透明電子膠層。
其中,所述第一透明電子膠層的厚度為5~50nm,所述第二透明電子膠層的厚度為5~50nm。
其中,所述所述第一透明電子膠層和第二透明電子膠層的材料分別為山梨醇或二甲基亞砜。
其中,進行高溫烘烤的溫度為80℃~150℃,時間為1~5min。
本發明實施例提供的雙面顯示裝置及其制備方法,其中相互背對的所述第一OLED顯示面板和第二OLED顯示面板具有共用的共享陰極層,由此獲得重量更輕厚度更薄的雙面顯示裝置,并且其制備工藝簡單、易于實現,降低了生產成本,符合消費者期望的輕薄與高性價比的要求。
附圖說明
圖1是現有的雙面顯示裝置的結構示意圖;
圖2a-2d是本發明實施例提供的雙面顯示裝置的制備方法中,各個步驟制備得到的器件結構的示例性圖示;
圖3是本發明實施例提供的電子設備的結構示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





