[發明專利]存儲器及感測參數確定方法

有效

• 申請號: 201710445168.7
• 申請日: 2013-03-06
• 公開（公告）號: CN107256715B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 沈震雷;威廉·H·拉德克
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C7/08
• 分類號: G11C7/08;G11C11/56;G11C13/00;G11C29/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

本申請涉及存儲器及感測參數確定方法。本發明揭示存儲器裝置及用于操作存儲器的方法，其中所述方法包含過濾所述存儲器的經感測數據的直方圖，且使用經過濾直方圖調整用以感測所述存儲器的參數。過濾可通過平均或求和完成，且可包含對總和或平均值加權。

分案申請的相關信息

本案是分案申請。該分案的母案是申請日為2013年3月6日、申請號為201380012977.9、發明名稱為“存儲器及感測參數確定方法”的發明專利申請案。

技術領域

本發明大體上涉及存儲器，且更特定來說，在一或多個實施例中，本發明涉及確定快閃存儲器中的感測參數。

背景技術

通常將存儲器裝置提供為計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路。存在許多不同類型的存儲器，包含：隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)、同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)及快閃存儲器。

快閃存儲器裝置已發展成用于廣泛范圍的電子應用的非易失性存儲器的流行來源。快閃存儲器裝置通常使用允許高存儲器密度、高可靠性及低功率消耗的單晶體管存儲器單元。通過編程電荷存儲結構(例如，浮動柵極或電荷陷阱)或其它物理現象(例如，相變或極化)，存儲器單元的閾值電壓的改變可確定每一單元的數據值。通常將所述單元分組成塊。可通過(例如)給電荷存儲結構充電來電編程塊內的每一單元。通過電荷存儲結構中的電荷的存在或不存在來確定此類型的單元中的數據。可通過擦除操作從電荷存儲結構移除電荷。快閃存儲器的常見用途包含個人計算機、個人數字助理(PDA)、數碼相機、數字媒體播放器、數字記錄器、游戲、電器、運輸工具、無線裝置、蜂窩式電話及可抽換式存儲器模塊，且快閃存儲器的用途持續擴展。

快閃存儲器通常利用名為NOR快閃及NAND快閃的兩種基本架構中的一者。名稱衍生自用于讀取裝置的邏輯。在NOR快閃架構中，將邏輯列的存儲器單元并聯耦合，每一存儲器單元都耦合到數據線(例如通常稱作為位線的那些數據線)。在NAND快閃架構中，將一列存儲器單元串聯耦合，僅所述列的第一存儲器單元耦合到位線。

隨著電子系統的性能與復雜性的增加，對系統中的額外存儲器的需要也增加。然而，為了持續減小系統的成本，必須將零件計數保持在最小限度。這可通過增加集成電路的存儲器密度(通過使用例如多級存儲器單元(MLC)的技術)來完成。舉例來說，MLC NAND快閃存儲器為非常具成本效率的非易失性存儲器。

多級存儲器單元可通過對存儲于傳統快閃存儲器單元上的特定閾值電壓(Vt)范圍指派位模式來利用所述單元的模擬特性。此技術允許每一單元存儲兩個或兩個以上位，位的數目取決于經指派到單元的電壓范圍的數量及在存儲器單元的使用期限操作期間經指派的電壓范圍的穩定性。

舉例來說，可為單元指派每一范圍為200mV的四個不同電壓范圍。通常，每一范圍之間存在0.2V到0.4V的安全范圍以防止所述范圍重疊。如果存儲于單元上的電壓在第一范圍內，那么所述單元處于第一數據狀態(表示(例如)邏輯11)，通常第一數據狀態被視為所述單元的擦除狀態。如果電壓在第二范圍內，那么所述單元處于第二數據狀態(表示(例如)邏輯01)。不管對于單元使用了多少范圍，這一過程都可以對這些范圍繼續，條件是這些電壓范圍在存儲器單元的使用期限操作期間保持穩定。

因MLC單元可處于兩個或兩個以上數據狀態中的一者，所以每一狀態的電壓范圍中的每一者的寬度可為非常重要的。所述寬度與存儲器電路的操作中的許多變量相關。為了正確讀取特定數據狀態，應確定所述數據狀態的感測參數(例如，讀取電壓電平)。例如，讀取電壓電平可受到存儲器內的經編程為對應數據狀態的存儲器單元的實際分布的寬度，閾值電壓噪聲、圍繞從一范圍到另一范圍的轉變點(也可稱作為交越點)的波動、閾值分布的寬度(即，厚尾分布(fat tail)，其為延伸進入鄰近分布的分布，例如，與高斯分布相比較，所述分布的尾向外擴張)及類似物的影響。