[發(fā)明專利]NAND閃存存儲(chǔ)器的讀操作方法、電子設(shè)備和計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710444963.4
• 申請(qǐng)日: 2017-06-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107437433A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜智超;王頎;霍宗亮;葉甜春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): G11C16/26
• 分類號(hào): G11C16/26
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 倪斌

1.一種NAND閃存存儲(chǔ)器的讀操作方法，所述NAND閃存存儲(chǔ)器排列成陣列，所述NAND閃存存儲(chǔ)器包括多個(gè)塊，每一個(gè)塊包括多個(gè)頁(yè)，一條位線連接至多個(gè)塊，每一個(gè)塊連接至下部的多條存儲(chǔ)單元串，其中一個(gè)存儲(chǔ)單元串由多個(gè)存儲(chǔ)單元串聯(lián)連接組成，每一個(gè)存儲(chǔ)器串的底層單元串聯(lián)連接至選擇管，并由所述選擇管連接至共同源線，在所述NAND閃存存儲(chǔ)器的讀取電路中，控制電路通過(guò)頁(yè)選擇晶體管來(lái)選通將要讀取的存儲(chǔ)位線，所述讀操作方法包括：

接收讀指令；

根據(jù)輸入的讀操作指令判斷和選擇不同的頁(yè)容量進(jìn)行讀操作，其中所述讀操作包括全頁(yè)讀操作、二分之一部分頁(yè)讀操作和四分之一部分頁(yè)讀操作；

分別采用不同的讀取操作電壓施加至字線以及不同的讀方式來(lái)執(zhí)行所述全頁(yè)讀操作、二分之一部分頁(yè)讀操作或者四分之一部分頁(yè)讀操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀操作方法，其中在部分頁(yè)讀操作時(shí)，將不進(jìn)行讀操作的其余位線偏置到零電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的讀操作方法，其中通過(guò)位線偏置電路將其余位線偏置到零電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀操作方法，其中對(duì)于全頁(yè)的全部位線讀操作，所述讀操作包括模糊讀操作、粗略讀操作和精確讀操作，

在所述模糊讀操作中，在字線上施加比目標(biāo)讀電壓小的第一讀取操作電壓V_z，

在所述粗略讀操作中，在字線上施加比第一讀取操作電壓V_z大但依然小于目標(biāo)讀取電壓V_f的第二讀取操作電壓V_c，以及

在所述精確讀操作中，在字線上施加目標(biāo)讀取電壓V_f。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀操作方法，其中對(duì)于二分之一部分頁(yè)讀操作，所述讀操作包括粗略讀操作和精確讀操作，

在所述粗略讀操作中，在字線上施加比第一讀取操作電壓V_z大但依然小于目標(biāo)讀取電壓V_f的第二讀取操作電壓，以及

在所述精確讀操作中，在字線上施加目標(biāo)讀取電壓V_f。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀操作方法，其中對(duì)于四分之一部分頁(yè)讀操作，通過(guò)在字線上施加目標(biāo)讀取電壓V_f直接采用精確讀操作。

7.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的讀操作方法，其中每一條位線與一個(gè)位線控制放電NMOS管的漏端相連，并且這些位線控制放電NMOS管按照相間格的順序連接至4根柵控制線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的讀操作方法，其中所述4根柵控制線由控制單元產(chǎn)生和控制，分別控制四分之一部分位線的偏置操作。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀操作方法，其中所述位線的物理排列方式為順序排列，但其邏輯地址為每一根控制線控制連續(xù)的四分之一頁(yè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀操作方法，其中在進(jìn)行二分之一部分頁(yè)讀操作時(shí)，只對(duì)一半的位線進(jìn)行操作，而其他的位線被偏置到零電壓。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀操作方法，其中在進(jìn)行四分之一部分頁(yè)讀操作時(shí)，只對(duì)四分之一的位線進(jìn)行操作，而其他的位線被偏置到零電壓。

12.一種用于NAND閃存存儲(chǔ)器的讀操作的電子設(shè)備，其中所述NAND閃存存儲(chǔ)器排列成陣列，所述NAND閃存存儲(chǔ)器包括多個(gè)塊，每一個(gè)塊包括多個(gè)頁(yè)，一條位線連接至多個(gè)塊，每一個(gè)塊連接至下部的多條存儲(chǔ)單元串，其中一個(gè)存儲(chǔ)單元串由多個(gè)存儲(chǔ)單元串聯(lián)連接組成，每一個(gè)存儲(chǔ)器串的底層單元串聯(lián)連接至選擇管，并由所述選擇管連接至共同源線，在所述NAND閃存存儲(chǔ)器的讀取電路中，控制電路通過(guò)頁(yè)選擇晶體管來(lái)選通將要讀取的存儲(chǔ)位線，所述電子設(shè)備還包括：

存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)可執(zhí)行指令；以及

處理器，用于執(zhí)行存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的可執(zhí)行指令，以執(zhí)行如下操作：

接收讀指令；

根據(jù)輸入的讀操作指令判斷和選擇不同的頁(yè)容量進(jìn)行讀操作，

其中所述讀操作包括全頁(yè)讀操作、二分之一部分頁(yè)讀操作和四分之一部分頁(yè)讀操作；

分別采用不同的讀取操作電壓施加至字線以及讀方式來(lái)執(zhí)所述全頁(yè)讀操作、二分之一部分頁(yè)讀操作或者四分之一部分頁(yè)讀操作。

13.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有可執(zhí)行指令，所述指令在由一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)，可以使所述一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行以下操作：

接收讀指令；

根據(jù)輸入的讀操作指令判斷和選擇不同的頁(yè)容量進(jìn)行讀操作，其中所述讀操作包括全頁(yè)讀操作、二分之一部分頁(yè)讀操作和四分之一部分頁(yè)讀操作；

分別采用不同的讀取操作電壓施加至字線以及讀方式來(lái)執(zhí)行所述全頁(yè)讀操作、二分之一部分頁(yè)讀操作或者四分之一部分頁(yè)讀操作。