[發(fā)明專利]一種含氫摻鋁類金剛石薄膜的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710444712.6
• 申請日: 2017-06-13
• 公開（公告）號: CN107267941A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林松盛;許偉;代明江;周克崧;石倩;侯惠君;韋春貝;李洪;趙鳳麗;蘇一凡
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東省新材料研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 廣東世紀專利事務(wù)所44216
• 代理人: 千知化

1.一種含氫摻鋁類金剛石薄膜的制備方法，其特征是由步驟如下組成：

1）將除油清洗后的基材置于真空室中工件架上，抽真空至本底真空度＜3×10^-3Pa；

2）將氬氣通入離子源中，保持壓力為0.3~0.4Pa，調(diào)節(jié)離子源電流至1.0~1.5A，同時在基材上施加-700~-800V偏壓，對基體表面進行離子清洗和表面活化20~30分鐘；

3）離子清洗和表面活化后，將基體偏壓降至-100~-200V，通入流量為30~60sccm的甲烷或乙炔和流量為80~120sccm的氬氣，鋁靶電流為1.0~3.0A，離子源電流為1.0~1.5A，沉積氣壓為0.35~0.5Pa，沉積60~240分鐘，鍍膜結(jié)束，待爐內(nèi)溫度降至室溫，基體表面得到含氫摻鋁類金剛石薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含氫摻鋁類金剛石薄膜的制備方法，其特征是所述基材為模具鋼、不銹鋼、硬質(zhì)合金或單晶硅片。