[發(fā)明專利]觸摸屏的觸摸掃描方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710444491.2
• 申請(qǐng)日: 2017-06-13
• 公開（公告）號(hào): CN107291293B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘朝煌;賴國(guó)昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/041
• 分類號(hào): G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種觸摸屏的觸摸掃描方法，所述觸摸屏包含呈陣列分布的多個(gè)自容式電極，每個(gè)所述自容式電極與至少一條觸控信號(hào)線電連接，其特征在于，觸摸掃描包括多個(gè)觸控掃描周期，各所述觸控掃描周期至少包括第一觸控階段和第二觸控階段，所述掃描方法包括：

在檢測(cè)到觸控時(shí)，在所述第一觸控階段進(jìn)行粗略檢測(cè)，通過所述觸控信號(hào)線對(duì)至多一半數(shù)量的所述自容式電極進(jìn)行觸控檢測(cè)，獲取電容變化量最大的自容式電極，所述電容變化量最大的自容式電極為第一自容式電極；

在所述第二觸控階段進(jìn)行精確檢測(cè)，通過所述觸控信號(hào)線對(duì)所述第一自容式電極及所述第一自容式電極周圍的多個(gè)自容式電極進(jìn)行觸控檢測(cè)；

一個(gè)所述觸控掃描周期對(duì)應(yīng)1幀顯示，其中前半幀顯示包括所述第一觸控階段和所述第二觸控階段，后半幀包括第三觸控階段和第四觸控階段，所述第三觸控階段與所述第一觸控階段相同，所述第四觸控階段與所述第二觸控階段相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏的觸摸掃描方法，其特征在于：所述第二觸控階段包括多個(gè)第二觸控子階段。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏的觸摸掃描方法，其特征在于：將每幀顯示分為8個(gè)連續(xù)的1/8幀，所述第一觸控階段對(duì)應(yīng)第1個(gè)1/8幀，所述第二觸控階段對(duì)應(yīng)第2至4個(gè)1/8幀，所述第三觸控階段對(duì)應(yīng)第5個(gè)1/8幀，所述第四觸控階段對(duì)應(yīng)第6至8個(gè)1/8幀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏的觸摸掃描方法，其特征在于：在所述第一觸控階段，對(duì)一半數(shù)量的所述自容式電極進(jìn)行觸控檢測(cè)，所述一半數(shù)量的所述自容式電極均勻排布在所述觸摸屏上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏的觸摸掃描方法，其特征在于：在所述第一觸控階段，對(duì)1/3數(shù)量的所述自容式電極進(jìn)行觸控檢測(cè)，所述1/3數(shù)量的所述自容式電極均勻排布在所述觸摸屏上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏的觸摸掃描方法，其特征在于：所述在所述第一觸控階段，通過所述觸控信號(hào)線對(duì)至多一半數(shù)量的所述自容式電極進(jìn)行觸控檢測(cè)為：通過所述觸控信號(hào)線向至多一半數(shù)量的所述自容式電極發(fā)送觸控檢測(cè)信號(hào)，并接收所述自容式電極的反饋信號(hào)，根據(jù)所述反饋信號(hào)獲取電容變化量最大的自容式電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏的觸摸掃描方法，其特征在于：所述在所述第二觸控階段，通過所述觸控信號(hào)線對(duì)以所述第一自容式電極為中心的多個(gè)自容式電極進(jìn)行觸控檢測(cè)為：通過所述觸控信號(hào)線對(duì)以所述第一自容式電極為中心的m*m個(gè)自容式電極發(fā)送觸控檢測(cè)信號(hào)，并接收m*m個(gè)自容式電極的反饋信號(hào)，根據(jù)所述反饋信號(hào)獲取精確的觸控位置，其中，m為整數(shù)，3≤m≤5。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸摸屏的觸摸掃描方法，其特征在于：所述通過所述觸控信號(hào)線對(duì)以所述第一自容式電極為中心的m*m個(gè)自容式電極發(fā)送觸控檢測(cè)信號(hào)，并接收m*m個(gè)自容式電極的反饋信號(hào)，根據(jù)所述反饋信號(hào)獲取精確的觸控位置為：根據(jù)m*m個(gè)自容式電極的反饋信號(hào)，判斷m*m個(gè)自容式電極所在區(qū)域中電容變化量最大的區(qū)域，所述電容變化量最大的區(qū)域?yàn)樗鼍_的觸控位置。