[發明專利]一種柔性基板結構及其制備方法有效
| 申請號: | 201710444286.6 | 申請日: | 2017-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN107342305B | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 魯佳浩;亢澎濤;潘新葉 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201506 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 板結 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種柔性基板結構及其制備方法,及柔性顯示裝置的制備方法,提供有一剛性基板,于剛性基板的上表面制備復數個離散分布的島狀結構,于島狀結構的上表面和側壁以及剛性基板暴露的上表面覆蓋柔性襯底,柔性襯底與剛性基板之間的單位面積的粘合力不同于柔性襯底與所述島狀結構之間的單位面積的粘合力;還提出了在上述柔性基板結構的基礎上進行薄膜晶體管器件結構和有機發光二極管器件結構的制備工藝形成柔性顯示裝置;本發明能夠容易地控制柔性襯底分別與剛性基板和島狀結構的接觸面積,以控制柔性襯底與剛性基板及島狀結構的總粘合力,從而制備粘合力理想的柔性基板結構。
技術領域
本發明涉及柔性顯示裝置技術領域,尤其涉及一種柔性基板結構及其制備方法,及一種柔性顯示裝置的制備方法。
背景技術
柔性顯示裝置由于其可被彎曲的特點,極大地擴展了移動終端類產品的應用范圍,因為成為當前最受關注顯示裝置產品。現有的柔性顯示裝置通常通過有機發光器件(OLED,Organic Light-Emitting Diode)實現。
目前,在有通過機發光器件的實現柔性顯示裝置的工藝中,會先在剛性基板上粘附一柔性襯底,進而于柔性襯底上進行一系列工藝,包括但不限于薄膜晶體管工藝、有機發光二極管工藝、封裝工藝。然后在模組工藝中,需要通過離型工藝將剛性基板自柔性襯底上取下。所以柔性襯底與剛性基板之間需要有合適的粘合力,既要保證不會在上述的多個工藝中發生柔性襯底剝落的現象;又要保證在取下剛性基板時不至于損傷到薄膜晶體管和有機發光二極管器件。
現有技術中,通常將柔性材料直接涂布在剛性基板上,這樣做粘合力很強,但會出現無法離型取下的問題;或者在柔性材料和剛性基板間涂布無機層,這樣做雖然降低了粘合力,卻提高了柔性材料從剛性基板表面脫落的風險。
發明內容
針對現有技術中存在的上述問題,現提供一種旨在實現柔性襯底與剛性基板間粘合力既可滿足工藝中不剝落,又可滿足取下剛性基板時不損傷柔性襯底上器件的柔性基板結構、制備方法,及柔性顯示裝置的制備方法,具體技術方案如下:
一種柔性基板結構,包括剛性基板及設置于所述剛性基板之上的柔性襯底,其中,還包括:
復數個島狀結構,呈離散狀分布于所述剛性基板的上表面,所述柔性襯底覆蓋所述復數個島狀結構的上表面和側壁以及所述剛性基板暴露的上表面;
所述柔性襯底與所述剛性基板之間的單位面積的粘合力不同于所述柔性襯底與所述島狀結構之間的單位面積的粘合力。
上述的柔性基板結構,其中,所述島狀結構的材質為硅基氧化物。
上述的柔性基板結構,其中,所述柔性襯底的材質為聚酰亞胺。
上述的柔性基板結構,其中,所述島狀結構的厚度范圍在450~500nm之間。
上述的柔性基板結構,其中,所述剛性基板的材質為無堿玻璃。
還包括,一種柔性基板結構的制備方法,其中,包括:
提供一剛性基板;
于所述剛性基板上制備一中間層;
于所述中間層上制備一圖案化的光阻層后對暴露出的所述中間層進行刻蝕,以于所述剛性基板的上表面制備形成復數個離散分布的島狀結構;
去除所述光阻層;
于所述島狀結構的上表面和側壁以及所述剛性基板暴露的上表面覆蓋一柔性襯底,所述柔性襯底與所述剛性基板之間的單位面積的粘合力不同于所述柔性襯底與所述島狀結構之間的單位面積的粘合力。
上述的制備方法,其中,所述中間層為硅基氧化物。
上述的制備方法,其中,采用等離子體增強化學氣相沉積工藝制備所述中間層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





