[發明專利]一種膜片結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201710444180.6
• 申請日: 2017-06-13
• 公開（公告）號: CN107215844B
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: 倪藻;李昕欣;焦鼎
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 31219 上海光華專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 唐棉棉

1.一種壓力敏感膜結構，其特征在于，所述壓力敏感膜結構至少包括懸空支撐在(111)單晶硅片上的膜片，所述膜片包括位于所述膜片外圍的外框和由所述外框包圍的薄膜及梁-島結構，所述外框中排列有釋放孔，其中，所述外框為六邊形，所述釋放孔至少分布在所述外框兩條相鄰的邊以及各自的對邊上；所述薄膜位于所述梁-島結構的兩側，所述梁-島結構中的梁和島間隔排列且通過所述梁與所述外框中未分布有釋放孔的兩條邊相連，且所述梁-島結構的島中制作有所述釋放孔。

2.一種如權利要求1所述的壓力敏感膜結構的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：

1)提供一(111)單晶硅片，在所述單晶硅片表面淀積絕緣層，刻蝕所述絕緣層，形成窗口，并通過所述窗口刻蝕所述單晶硅片的外圍及所述單晶硅片的中間位置，形成釋放孔，其中，所述中間位置的釋放孔位于后續步驟6)中的梁-島結構的島上；

2)在所述釋放孔內壁及底部沉積鈍化層，刻蝕所述釋放孔底部的鈍化層，并沿著所述釋放孔底部繼續刻蝕至所需深度；

3)通過所述釋放孔，利用腐蝕液釋放形成單晶硅層，并去除所述鈍化層和所述絕緣層；

4)沉積多晶硅材料，將所述釋放孔封堵，同時在所述單晶硅片表面及腐蝕腔內壁形成多晶硅層；

5)刻蝕去除所述單晶硅片表面的多晶硅層；

6)刻蝕所述單晶硅層，暴露出所述腐蝕腔頂部的所述多晶硅層，暴露出的所述多晶硅層形成所述薄膜，剩余未被刻蝕的部分形成所述梁-島結構以及外框；

其中，所述外框為六邊形，所述釋放孔至少分布在所述外框兩條相鄰的邊以及各自的對邊上。

3.根據權利要求2所述的壓力敏感膜結構的制作方法，其特征在于：在所述步驟3)和步驟4)之間還包括在所述腐蝕腔內壁、釋放孔內壁以及所述單晶硅片的表面形成介質層的步驟。